1、本文采用第一性原理計算方法研究了旋-軌耦合(SOC)對MoS2/WSe2超晶格薄膜電子結構和Pt/Co多層膜物性的影響。MoS2/WSe2超晶格是潛在的重要光電材料，而Pt/Co多層膜是磁性器件應用中的重要基本結構之一。
　　理論研究表明，MoS2/WSe2超晶格薄膜可以通過控制MoS2和WSe2的厚度比來實現(xiàn)直接帶隙的連續(xù)可調性。當該比值從1∶2變化到5∶1時，布里淵區(qū)K-K點之間的直接帶隙值從0.14 eV連續(xù)的變化到0.5

2、eV。該超晶格在-0.6％到2％的面內應力或高達-4.3％的垂直于膜面的壓應力情況下仍然保持是直接帶隙。旋-軌耦合使超晶格薄膜電子結構的價帶和導帶發(fā)生劈裂，進而使帶隙值減小，反映到吸收譜則是考慮SOC較未考慮SOC時吸收邊的紅移現(xiàn)象。同時旋-軌耦合也使得K和K'可分辨。上述結果表明，該超晶格薄膜在紅外光電子學和谷電子學方面具有很大的應用潛力。
　　理論計算發(fā)現(xiàn)，在Pt/Co多層膜中，Pt和Co原子同晶向結構比孿晶結構更穩(wěn)定。在[P