1、論文的研究目的是通過對某高功率音頻放大對管的研究與仿真優(yōu)化設(shè)計,提出一種使器件的二次擊穿電流得到提升的新穎結(jié)構(gòu)。通過改善發(fā)射極電流集邊效應(yīng)引發(fā)的二次擊穿問題,從而能夠提高本產(chǎn)品安全工作區(qū)的范圍。基于本實驗室與國內(nèi)某知名半導(dǎo)體公司合作研發(fā)項目,并通過產(chǎn)品工藝及版圖結(jié)構(gòu)的改進,達到產(chǎn)品參數(shù)指標(biāo)的要求。
　　文中對一款具有新穎結(jié)構(gòu)的高功率音頻放大對管進行仿真優(yōu)化設(shè)計,首先對高功率音頻放大對管的各個物理參數(shù)的設(shè)計,設(shè)計了各個區(qū)的摻雜濃度,

2、擴散系數(shù),遷移率,擴散長度和壽命等,并且確定了器件的縱向參數(shù)等。然后對器件縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計,并且通過仿真軟件對工藝流程和元胞結(jié)構(gòu)設(shè)計完成了仿真模擬,通過器件和工藝的聯(lián)合仿真,然后對元胞結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)進行仿真優(yōu)化設(shè)計,最終確定了設(shè)計器件制作的主要工藝參數(shù)和版圖設(shè)計,并討論關(guān)鍵工藝步驟的實現(xiàn)方式。
　　對上述設(shè)計的高功率音頻放大對管進行流片測試,最終測試參數(shù)如下:PNP管:BVCBO=-307.1V,ICBO=-13.24nA,BVCEO

3、=-287.4V,ICEO=-25.3nA,BVEBO=-9.13V, IEBO=-18.84nA,VCE(sat)=-0.14V,VBE(sat)=-0.93V,ICM=12.5A,HFE=86,ISB=3A;NPN管:BVCBO=348.2V,ICBO=29.09nA,BVCEO=285.6V,ICEO=520.5nA,BVEBO=8.26V, IEBO=29.87nA,VCE(sat)=0.12V,VBE(sat)=0.92V,I