1、自從20世紀90年代以來，In2O3作為新型敏感材料其氣敏性能得到了國內外廣泛的研究。納米技術經(jīng)過近半個世紀的快速發(fā)展在醫(yī)療、衛(wèi)生、工業(yè)、農業(yè)、軍事、航天等各個領域中得到了極大的應用。同樣，納米技術在傳感器方面的應用對于傳感器的發(fā)展至關重要，采用不同的制備方法獲得具有大比表面積的各種形貌結構已是氣敏傳感器發(fā)展的主要方向之一。In2O3在氣敏方面有著極大的研究潛力，具有靈敏度高、響應和恢復快等優(yōu)點。
　　本文分別采用化學氣相沉積法和

2、真空蒸鍍技術在硅納米孔柱陣列（Si-NPA）上生長了納米In2O3薄膜，得到了In2O3/Si-NPA復合體系。通過改變制備條件對In2O3/Si-NPA復合體系的形貌結構進行了調控。分別采用X射線衍射（XRD）和掃描電子顯微鏡（SEM）對通過兩種方法制備的In2O3/ Si-NPA復合體系進行了晶體結構和形貌結構的表征與分析。并且通過采用真空蒸鍍技術在In2O3/Si-NPA復合體系上沉積了叉指狀鋁電極，制備了電阻式氣敏傳感器。研究與

3、分析了基于In2O3/Si-NPA復合體系的氣體傳感器的氣敏性能隨表面形貌結構的變化。
　　研究結果表明，分別采用CVD法和真空蒸鍍技術制備的納米氧化銦均對酒精具有好的傳感性能，但因其形貌結構、比表面積大小的不同使得該氣體傳感器的傳感性能發(fā)生了較大變化。當采用兩種方法制備的納米氧化銦膜較薄時，In2O3/Si-NPA氣體傳感器對酒精的響應值低、響應和恢復時間長；當采用兩種方法制備的納米氧化銦膜較厚時，In2O3/Si-NPA氣體傳