不同核飾厚度比對(duì)氧化鋯雙層瓷結(jié)構(gòu)強(qiáng)度影響的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、目的:
   通過三點(diǎn)彎曲實(shí)驗(yàn)測(cè)試不同核心瓷/飾面瓷厚度比的氧化鋯雙層瓷試樣的斷裂載荷,并根據(jù)雙層試樣彎曲強(qiáng)度計(jì)算公式計(jì)算各核/飾厚度比雙層瓷試件的最大彎曲強(qiáng)度。在此基礎(chǔ)上通過三維有限元軟件分析探討不同核/飾厚度比雙層瓷試樣在斷裂載荷下的應(yīng)力分布,以此來(lái)研究核/飾厚度比對(duì)其彎曲強(qiáng)度的影響。
   方法:
   義齒加工廠制作不同厚度的澤康氧化鋯塊共40條,據(jù)厚度不同分為B、C、D、E4個(gè)組,各組厚度分別為1.0m

2、m、1.5mm、2.0mm及3.0mm,誤差不超過0.05mm。除D組之外,其余各組均由加工廠在氧化鋯瓷條上堆塑飾面瓷,并且單獨(dú)制作厚度為3.0mm的純飾面瓷條,嚴(yán)格按照廠家推薦程序進(jìn)行燒結(jié),形成雙層瓷結(jié)構(gòu)試樣作為測(cè)試樣本。順次用40μm、20μm、9μm氧化鋁砂紙研磨瓷面,使各測(cè)試樣本的最終厚度均為3.0mm,誤差不超過0.01mm。按核心瓷/飾面瓷厚度比的不同分為如下3個(gè)實(shí)驗(yàn)組:B組(1:2)、C組(1:1)、D組(2:1)。A、E

3、組分別為厚度3.0mm的單純飾面瓷和單純氧化鋯,作為對(duì)照組。于Intron多功能試驗(yàn)機(jī)上對(duì)所有測(cè)試樣本進(jìn)行三點(diǎn)彎曲測(cè)試。測(cè)試時(shí)將試件放在三點(diǎn)彎曲夾具(跨距為30 mm,兩個(gè)支持點(diǎn)及一個(gè)加載點(diǎn)的半徑均為2.5mm)上,以0.5mm/min的加載速度對(duì)飾面瓷施加載荷直至樣本斷裂或分層,收集碎裂的樣本碎片并分析斷裂模式。根據(jù)雙層試樣三點(diǎn)彎曲強(qiáng)度計(jì)算公式和測(cè)得的樣本的最大斷裂載荷值(N)計(jì)算出其彎曲強(qiáng)度(MPa)。所得的數(shù)據(jù)用SPSS16.0軟

4、件做單因素方差分析和SNK組間比較(以α=0.05作為顯著性檢驗(yàn)水平)。在獲得每組最大斷裂載荷的基礎(chǔ)上,建立三組不同核/飾厚度比的雙層瓷試件二維有限元模型,通過有限元分析,研究試件斷裂載荷下的拉應(yīng)力大小分布和燒結(jié)后的殘余應(yīng)力大小分布,為臨床判斷全瓷修復(fù)體可能出現(xiàn)的破壞提供參考依據(jù)。
   結(jié)果:
   處于斷裂載荷下,各雙層瓷實(shí)驗(yàn)組間承受拉應(yīng)力面彎曲強(qiáng)度值無(wú)顯著性差異,并且與單純核心瓷在斷裂時(shí)測(cè)得的強(qiáng)度無(wú)明顯差異(P>0

5、.05)。各實(shí)驗(yàn)組間斷裂載荷無(wú)顯著差異(P>0.05),但均值隨著核/飾厚度比的增加而增加,并與單純核心瓷斷裂載荷有顯著差異(P<0.05)。有限元分析結(jié)果表明,在斷裂載荷下,引起試件破壞主要原因的最大拉應(yīng)力分布在核心瓷的底面,其大小與核心瓷強(qiáng)度基本一致。核/飾比對(duì)殘余應(yīng)力大小有影響,隨著核/飾比的增加殘余應(yīng)力也隨之增加。斷裂模式觀察顯示:A、B、C組均未出現(xiàn)分層,斷裂碎片在5片以上。
   結(jié)論:
   在本試驗(yàn)厚度比

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