半導體物理學劉恩科第七版課后習題解第五章習題及答案_第1頁
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文檔簡介

1、第五章習題第五章習題1.在一個n型半導體樣品中，過?？昭舛葹?013cm3空穴的壽命為100us。計算空穴的復合率。2.用強光照射n型樣品，假定光被均勻地吸收，產生過剩載流子，產生率為空穴壽命為?。（1）寫出光照下過剩載流子所滿足的方程；（2）求出光照下達到穩(wěn)定狀態(tài)時的過載流子濃度。3.有一塊n型硅樣品，壽命是1us，無光照時電阻率是10??cm。今用光照射該樣品，光被半導體均勻的吸收，電子空穴對的產生率是1022cm3?s1試計算光

2、照下樣品的電阻率，并求電導中少數在流子的貢獻占多大比例？scmpUscmpUp317101001031310U10010613?????????????????得：解：根據？求：已知：?????gpgpdtpdgAetpgpdtpdLLtL????????????????????.00)2()(達到穩(wěn)定狀態(tài)時，方程的通解：梯度，無飄移。解：均勻吸收，無濃度cmspqnqqpqnpqnpcmqpqncmgnpgppnpnpnpnL06.3

3、96.21.0500106.1101350106.11010.0:101:1010100.1916191600000316622???????????????????????????????????????????????????光照后光照前光照達到穩(wěn)定態(tài)后6.畫出p型半導體在光照（小注入）前后的能帶圖，標出原來的的費米能級和光照時的準費米能級。EcEiEvEcEFEiEvEFpEFn光照前光照前光照后光照后7.摻施主濃度ND=1015

4、cm3的n型硅，由于光的照射產生了非平衡載流子?n=?p=1014cm3。試計算這種情況下的準費米能級位置，并和原來的費米能級作比較。???????????????????????????????????TkEEenpTkEEenncmNnpppcmnnnFPiioiFniDi01414152101420315141503101010)105.1(10101.11010?度強電離情況，載流子濃0.0517eVPFEFE0.0025eVF

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