1、電子具有電荷和自旋兩種屬性，基于電子電荷屬性的微電子學在推動人類社會進步的歷程中發(fā)揮了巨大的作用，但隨著器件小型化和集成度的進一步提高，高功耗的問題顯得日益嚴重，極大地限制了微電子學的發(fā)展，摩爾定律也不再適用。近些年來為了克服這一瓶頸，電子的自旋屬性得到了廣泛的關注。在自旋電子學發(fā)展史上，具有里程碑意義的工作是1988年Albert Fert和Peter Grünberg發(fā)現的巨磁電阻效應(GMR)。巨磁電阻發(fā)現之后，又發(fā)現了基于AlO

2、x和MgO的隧道磁電阻效應(TMR)、自旋轉移力矩效應(STT)、自旋霍爾效應(SHE)等。如今已經成功研發(fā)出了大量基于電子自旋的新型自旋電子學器件，而且基于磁電阻效應的技術早已應用于磁傳感器和硬盤讀頭中，實現了商業(yè)化的大規(guī)模生產，這對國民經濟發(fā)展和人類社會進步起到持續(xù)的推動作用。
　　在自旋電子學這一方興未艾的學科中，近年來人們對自旋流的產生、探測以及調控產生了濃厚的興趣。研究發(fā)現，利用純自旋流可以只輸運電子的自旋角動量而沒有凈

3、電荷的流動，因此純自旋流也可在鐵磁絕緣體中傳輸，這樣就可大大降低器件的功耗。在短短的幾年中，一系列產生純自旋流的方法相繼被發(fā)現:如電注入、光注入、自旋塞貝克效應(SSE)以及自旋泵浦效應(Spin Pumping effect)等。
　　目前研究自旋流的典型材料體系是由鐵磁材料與非磁重金屬構成的雙層膜，已被廣泛研究的材料有鐵磁金屬，如坡莫合金Ni81Fe19(Py)以及電子結構完全局域的亞鐵磁性絕緣體，如釔鐵石榴石Y3Fe5O12

4、(YIG)，與其接觸的順磁金屬通常是具有強自旋軌道耦合作用的重金屬，例如:Ta、Pt、W等，同時利用順磁金屬中的逆自旋霍爾效應（ISHE）來探測自旋流。目前研究確定，這些重金屬的自旋霍爾角都在0.07～0.2范圍，這遠遠不能滿足實際需要，所以繼續(xù)尋找新的大自旋霍爾角材料成為自旋電子學領域一大研究熱點。
　　近年來，反鐵磁材料在純自旋流的研究中備受關注。由于反鐵磁材料具有很多獨特的物理特性:無凈磁化強度、理論上預言有很大的自旋軌道耦

5、合強度、非共線的自旋等，與此同時，理論工作預測在反鐵磁材料γ-FeMn、IrMn3和Cr中有可能存在非常大的自旋霍爾效應，而且基于反鐵磁材料的隧穿各向異性磁電阻以及各向異性磁電阻均有相關報道。所有這些，使得反鐵磁材料在自旋霍爾效應相關的領域逐漸開始嶄露頭角，但大量的研究工作尚待展開。
　　自旋電子學領域另一研究熱點圍繞YIG/Pt界面的磁近鄰效應展開。一般來講，當Pt與磁性材料相接觸時，界面附近的Pt原子層會產生自旋極化，這一效應

6、被稱作Pt的磁近鄰效應，實驗上利用X射線磁性圓二色性(XMCD)已經證實了Pt磁近鄰效應的存在，關于YIG/Pt體系磁近鄰效應的爭論也一直沒有統(tǒng)一觀點，并且爭論焦點多集中在YIG/Pt體系的自旋塞貝克和自旋霍爾磁電阻研究中，而自旋泵浦作為一種界面效應是否受磁近鄰效應的影響仍沒有直接工作證明。
　　基于對自旋流國內外研究現狀的了解，我們選擇了反鐵磁FeMn的自旋霍爾效應、納米厚度YIG/Pt雙層膜中自旋流的起源、天線對自旋整流電壓的

7、調控等關鍵科學問題進行研究。本論文取得的主要結果如下:
　　一、與順磁態(tài)的FeMn相比，實驗發(fā)現反鐵磁序的FeMn自旋霍爾角更大且符號相反，其自旋擴散長度約為6.8nm。
　　為了研究順磁性FeMn與反鐵磁FeMn自旋霍爾效應的不同，我們選擇Cu作為緩沖層，分別制備了YIG/FeMn/Ni81Fe19和YIG/Cu/FeMn/Ni81Fe19樣品，并且對其進行室溫和低溫(78K)的各向異性磁電阻測量。在YIG/Cu/FeMn

8、/Ni81Fe19體系中，磁電阻曲線存在明顯的交換偏置效應，表明FeMn是反鐵磁性的;而在YIG/FeMn/Ni81Fe19體系的磁電阻曲線中沒有出現交換偏置效應，表明FeMn是順磁性的。我們利用自主搭建的自旋泵浦和自旋塞貝克系統(tǒng)分別測量YIG/FeMn/Cu和YIG/Cu/FeMn體系的逆自旋霍爾電壓，得到YIG/FeMn/Cu和YIG/Cu/FeMn自旋泵浦電壓的絕對值分別為1μV和2μV，自旋塞貝克電壓的絕對值分別為0.2μV和0

9、.4μV。兩個樣品的逆自旋霍爾電壓不僅絕對值大小差別巨大，而且符號相反。
　　通過制備YIG/Cu樣品作為對比實驗排除了Cu層的影響，確定逆自旋霍爾電壓的巨大差別來自具有不同磁結構的FeMn層。我們還制備了YIG/W樣品作為對比實驗來標定順磁性FeMn和反鐵磁性FeMn自旋霍爾角的符號。根據相關的工作報道，W是具有負自旋霍爾角的材料，對比我們的實驗結果可以確定:順磁態(tài)的FeMn具有負的自旋霍爾角;反鐵磁態(tài)的FeMn具有正的自旋霍爾

10、角。我們進一步制備了不同厚度的順磁性和反鐵磁性FeMn樣品，對其進行自旋泵浦效應測量，得到電壓信號線寬與薄膜厚度的變化關系，擬合得到反鐵磁FeMn的自旋擴散長度約為6.8nm，與Pt的自旋擴散長度相近。
　　與順磁態(tài)FeMn相比，反鐵磁FeMn中非共線的自旋排列方式很可能是引起自旋霍爾角變號的主要原因。這種非共線的自旋排列方式可以大大增強材料中的軌道鐵磁性，進而增大自旋軌道耦合的強度。反鐵磁有序性形成后，相反方向自旋之間強大的交換

11、作用場也可以改變自旋的散射勢，進而改變自旋霍爾角的符號。這在自旋流的相關研究，以及反鐵磁材料在自旋電子學領域內的研究具有很高的參考價值。
　　二、YIG/Pt的自旋泵浦實驗表明，自旋流來源于YIG/Pt界面，而不是通常認為的來自YIG本身。
　　我們利用自主搭建的鐵磁共振和自旋泵浦復合測量系統(tǒng)，同時巧妙地結合Cu電極的貼片天線效應，對納米厚度YIG/Pt體系的鐵磁共振和逆自旋霍爾電壓進行了原位表征。通過對Pt完全覆蓋YIG、

12、Pt部分覆蓋YIG的樣品進行測量，發(fā)現逆自旋霍爾電壓信號的峰位與峰寬并不能與YIG的鐵磁共振吸收峰對應，而是對應于一個共振磁場略小于YIG的微弱吸收峰，并且這個吸收峰只有在Cu電極發(fā)揮貼片天線效應時才可能觀察到。我們進一步對YIG/Pt進行面內360°轉角度電壓測量，發(fā)現電壓信號是由逆自旋霍爾電壓和自旋整流電壓疊加而成，并且兩部分電壓信號與面內轉角的函數關系與理論吻合。我們推測:在納米厚度YIG/Pt體系的自旋泵浦實驗中，自旋流不是來自

13、大家通常認為的YIG，而是來自YIG/Pt的界面，其中Pt層的界面很可能存在由YIG或者從YIG擴散的Fe離子誘導的鐵磁性極化。
　　為了證明這個推理，我們利用第一性原理計算分別計算了YIG/Cu界面、YIG/Al界面的順磁金屬由于磁近鄰效應而誘導的磁矩。計算結果顯示Cu層界面極化的磁矩與YIG磁矩反向，其磁矩大小約為磁化Pt的1/5，而界面處的Al沒有誘導磁矩。進一步，我們對YIG/Cu/Pt和YIG/Cu/Ta進行了鐵磁共振與

14、自旋泵浦的原位表征。實驗結果顯示:逆自旋霍爾電壓信號所對應的鐵磁共振吸收峰與YIG的鐵磁共振吸收峰相比，向低磁場方向移動了25Oe，并且兩個樣品電壓信號符號相反，而在YIG共振吸收峰位置沒有探測到逆自旋霍爾電壓。這說明在YIG/Cu/Pt和YIG/Cu/Ta樣品中自旋流的來源是界面處被磁化的Cu層，而YIG/Al/Pt樣品中由于無磁近鄰效應的存在而沒有探測到逆自旋霍爾電壓。
　　我們假設自旋流的來源是YIG，對該實驗系統(tǒng)中逆自旋霍

15、爾電壓的極限值進行了理論分析。結果表明:由YIG磁化強度進動所產生的自旋流轉化而來的逆自旋霍爾電壓僅為nV量級，小于實驗測得的電壓三個數量級。換言之，實驗探測到的逆自旋霍爾電壓的來源并不是YIG的磁化強度進動產生的自旋流轉化來的。
　　我們結合實驗、第一性原理計算以及理論推導證明了:由于YIG與Pt的電子結構差異非常大，在納米厚度的YIG體系里，YIG的磁化強度在發(fā)生鐵磁共振過程中產生的角動量改變很難有效地傳遞到Pt中;實驗上測到

16、的直流電壓信號是源于YIG/Pt界面，其界面處的Pt很可能是被YIG或者是由YIG中擴散的Fe離子磁化而變成鐵磁性。這一研究結果為鐵磁絕緣體與非磁性金屬的異質結中界面自旋混合電導的研究提供了新的思路。
　　三、發(fā)現了貼片天線對鐵磁性金屬薄膜磁化動力學過程的放大作用。
　　我們將10nm Ni81Fe19薄膜與貼片天線結合，利用不同尺寸的貼片天線實現鐵磁共振條件下自旋整流電壓信號不同程度的放大，通過擬合自旋整流電壓信號得到天線

17、的相對放大倍數;進一步，將10nmCo薄膜與貼片天線結合，實現非共振條件下，自旋整流電壓信號和低磁場微波吸收信號的顯著放大，首次在10nm鐵磁性金屬薄膜中探測到磁化翻轉過程產生的低磁場微波吸收峰;最后，我們利用OOMMF微磁學模擬分析Co薄膜反磁化過程中磁矩的動態(tài)變化情況。結合實驗測得的非共振條件下自旋整流電壓，分析得出，由于Co薄膜反磁化過程中，磁疇壁消失的時刻磁矩具有高度隨機的各向異性，在自旋轉動過程中產生低磁場的微波吸收信號。