1、ta-C薄膜是含sp3鍵非常高的一種非晶四面體碳基薄膜，因其具有硬度高，摩擦系數(shù)小，抗磨性能優(yōu)異等優(yōu)良特性，被廣泛應用于汽車、電子、生物等領域，具有廣泛的市場應用前景。工業(yè)應用的ta-C薄膜主要采用石墨靶多弧離子鍍沉積。但是石墨作為陰極靶材時，具有致密度低、離化能高、負的溫度系數(shù)等特點，導致石墨陰極靶燃燒不穩(wěn)定，嚴重影響了ta-C薄膜的質量。針對這個問題，本文在石墨靶表面產生一定的磁場位形，使石墨陰極靶燃燒穩(wěn)定，并在石墨靶保持穩(wěn)定燃燒的

2、情況下，研究了線圈電流、輔助陽極電流、Ar流量、偏壓和弧流對石墨靶放電特性的影響。同時，本文研究了在不同基體負偏壓和不同Ar流量下，ta-C薄膜的組織結構和摩擦、腐蝕、結合力等性能。
　　Ansys磁場模擬表明，當勵磁線圈產生的磁極與永磁鐵產生的磁極相反，且在靶面形成合適的磁場位型時，可限制石墨陰極斑點在一定的區(qū)域做旋轉運動，使石墨陰極靶燃燒穩(wěn)定。屏蔽罩的添加可提高石墨陰極靶材的利用率。石墨陰極靶隨著燒蝕時間的增加，石墨陰極斑點逐

3、漸靠近靶材的邊緣，在靶材邊緣形成環(huán)形凹坑，導致石墨陰極燃燒不穩(wěn)定。
　　工藝參數(shù)對石墨陰極靶的放電特性影響很大。線圈電流、輔助陽極電流、靶材電流以及偏壓的增加都能提高基體的峰值電流。而隨著Ar流量的增加，基體的峰值電流不斷下降。采用光譜儀對石墨靶前等離子體特性進行測試，發(fā)現(xiàn)勵磁線圈電流的增加可以提高真空室中的激發(fā)態(tài)Ar、Ar+和C+密度。
　　基體負偏壓對ta-C薄膜的組織結構和性能影響較大。當偏壓為-100V時，拉曼光譜表