1、IGBT作為電力電子技術的核心元件,已被廣泛應用于工業(yè)生產和社會生活的各個領域,在國民經濟的發(fā)展中起著舉足輕重的作用。溝槽型雙向IGBT是在常規(guī)溝槽型IGBT的集電區(qū)上再制作一個元胞,可解決常規(guī)IGBT關斷時間較長的問題,可被廣泛應用于交、直流電路中。
　　本文利用ISE-TCAD軟件,建立常規(guī)溝槽型IGBT與兩端完全對稱的溝槽型雙向IGBT的結構模型,在相同參數(shù)下,通過DESSIS軟件對常規(guī)溝槽型IGBT與溝槽型雙向IGBT的靜

2、態(tài)特性進行仿真,主要包括轉移特性、輸出特性與正、反向擊穿特性,得出兩種器件具有相似的工作原理與靜態(tài)特性;仿真了不同接通方式對溝槽型雙向IGBT靜態(tài)特性的影響,發(fā)現(xiàn)Ei端與Gi端短接充當器件的集電極時器件的V。n會增至原來的14倍之多;仿真了襯底濃度、P+阱參數(shù)、N+阱參數(shù)以及柵氧化層厚度的變化對溝槽型雙向IGBT靜態(tài)特性的影響;通過搭建溝槽型雙向IGBT的動態(tài)特性仿真電路,發(fā)現(xiàn)溝槽型雙向IGBT的雙端柵極結構可加快電子抽取速度,具有很高