1、本文通過分析平面結構硅磁敏三極管基本結構、工作原理和特性，給出集成化SOI硅磁敏三極管差分結構，該集成化結構由兩個具有相反磁敏感方向的SOI硅磁敏三極管(PSMST1、PSMST2)和集電極負載電阻（RL1、RL2）構成，包括一個發(fā)射極(E)、兩個基極(B1、B2)、兩個集電極(C1、C2)和兩個集電極負載電阻。根據(jù)基本結構，采用ATLAS軟件構建平面硅磁敏三極管仿真模型，研究基區(qū)長度（L）、基區(qū)寬度（w)、發(fā)射區(qū)寬度（WE）和襯底類型

2、對其IC-VCE特性、磁特性和溫度特性的影響，賣現(xiàn)結構參數(shù)優(yōu)化，在此基礎上，構建SOI硅磁敏三極管差分結構仿真模型進行仿真分析。
　　基于上述，本文在器件層為<100>晶向P型高阻(ρ＞1000Ω·cm)SOI片上研究、設計并制作集成化SOI硅磁敏三極管差分結構。通過使用半導體參數(shù)測試儀(Keithley4200)、磁場發(fā)生器系統(tǒng)(CH-100)、萬用表(Agilent34401A)、恒流源(Rigol SD120)、恒壓源(Ri

3、gol DP832)以及高低溫試驗箱（Obis GDJS-100LG-G）等實驗儀器，對不同幾何結構尺寸的集成化SOI硅磁敏三極管差分結構芯片進行IC-VCE特性、磁特性和溫度特性測試。根據(jù)實驗結果，選出本文最優(yōu)幾何結構尺寸，即WE、w和L分別為400μm、50μm和100μm，當VDD=3.5 V，IB=0.5 mA時，SOI硅磁敏三極管和SOI硅磁敏三極管差分結構集成化芯片的集電極電壓輸出絕對磁靈敏度分別為68.97 mV/T和13