1、本文以ZnO和ZnS一維納米材料為研究對象，在深入了解國內(nèi)外研究現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)制備ZnO和ZnS一維納米材料，重點研究實驗條件如前驅(qū)體種類及配比、加熱溫度和襯底位置對合成產(chǎn)物的影響。利用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)分析合成產(chǎn)物形貌和微觀結(jié)構(gòu)，揭示其生長機理并通過陰極射線熒光(CL)技術(shù)研究幾種典型納米結(jié)構(gòu)的發(fā)光特性。以ZnS為主要前驅(qū)體材料，通過高溫加熱反應(yīng)和控制實

2、驗反應(yīng)條件，在鍍金Si襯底上獲得以ZnO納米線為主的多種納米結(jié)構(gòu)，納米線生長末端可以明顯看到催化劑顆粒，表明ZnO納米線以典型的VLS機制生長。CL光譜分析發(fā)現(xiàn)，ZnO納米線在380nm和517nm處有兩個強發(fā)光峰，分別為紫外發(fā)光和綠色可見發(fā)光。當(dāng)在ZnS前驅(qū)體中摻入P2O5，產(chǎn)物形貌會隨著P2O5摻入量的增加向ZnS納米帶結(jié)構(gòu)演變，當(dāng)P∶Zn∶ZnS的摩爾比為6∶1∶10時，合成產(chǎn)物中ZnS納米帶所占比例最大，結(jié)構(gòu)最優(yōu)良。透射電鏡分析

3、表明ZnS納米帶以VS機制生長，長度沿[0001]方向生長，寬度沿[01-10]方向生長。光學(xué)性能研究發(fā)現(xiàn)，ZnS納米帶在341nm處有很強的紫外發(fā)光，而在530nm處的綠色可見發(fā)光相對較弱。在以上實驗基礎(chǔ)上，我們?nèi)圆捎肸nS粉末為前驅(qū)體，將生長溫度加熱到1000℃，在前驅(qū)體附近襯底上獲得大量三角狀ZnO納米片結(jié)構(gòu)。形貌和結(jié)構(gòu)分析顯示，三角狀ZnO納米片表面非常光滑，寬為2～3μm，高為5～7μm，頂端有Au顆粒，其生長可確定為沿軸向[