晶體硅太陽電池雙層減反射膜的制備及其性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、  晶體硅表面能夠反射大約 38%的太陽光,通過減反射膜的制備能夠降低硅片的反射,使其吸收更多的光,提高太陽電池的轉換效率和降低光伏發(fā)電的成本。
  本論文首先應用MATLAB軟件,進行SiNx、SiO2、Al2O3、TiO2單層減反射膜,SiNx/SiO2、Al2O3/TiO2、TiO2/SiO2、Al2O3/SiO2雙層減反射膜, SiNx/Al2O3/SiO2 和TiO2/SiNx/SiO2三層減反射膜膜系結構的設計和數(shù)

2、值計算,研究SiNx、SiO2、Al2O3、TiO2膜層厚度以及SiNx的折射率對減反射膜膜系結構總反射率的影響,尋求最佳膜系結構。計算結果表明,SiNx和Al2O3為較適宜的單層膜材質,最低的加權平均反射率為5.12%;最優(yōu)化的雙層膜結構為:SiNx(60nm,n=2.2)/SiO2(10nm)雙層膜膜系結構,最低的加權平均反射率為0.51%;三層膜膜系結構中,減反射效果TiO2/SiNx/SiO2膜系優(yōu)于SiNx/Al2O3/SiO

3、2膜系,但效果不如雙層膜理想。
  其次,以熱氧化時間為變量,應用低溫熱氧化法制備SiO2薄膜,作為第一層減反射膜;采用SiNA平板式PECVD設備應用不同的參數(shù)沉積制備特定參數(shù)的SiNx薄膜,應用橢圓偏振光譜儀測定SiO2、SiNx薄膜膜層厚度和折射率,應用 D8 反射儀測量其反射率,從實驗上研究 SiO2、SiNx膜層厚度以及S iN x的折射率對減反射膜膜系結構的總反射率的影響。
  實驗結果表明,SiNx(6

4、0nm,n=2.2)/SiO2(10nm)雙層膜為最優(yōu)化的膜系結構。該膜系結構的反射曲線在短波和長波部分分配最合理,曲線未出現(xiàn)明顯的波動,加權平均反射率為0.583%,與其他膜系結構作對比,該雙層膜膜系結構組織致密能起到良好的減反射作用,同時也能起到優(yōu)異的鈍化作用。在SiNx/SiO2雙層減反射膜膜系中,氮化硅薄膜的折射率的變化直接關系到整個膜系的體鈍化效果,會引起膜系中Si-H鍵密度的波動,使晶體硅反射譜在長波或短波部分的波動,導致膜

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