1、作為超大規(guī)模集成電路制造中圖形轉移部分(Pattern Transfer)的關鍵方法,光刻技術(Photo-1ithography)越來越顯得舉足輕重。特別是由于工藝進入納米尺度,對于目前的65納米和45納米技術節(jié)點,因過于接近光刻成像系統的極限而使得實際刻出圖形有嚴重畸變,于是如分辨率增強技術(Resolution Enhancement Technology,RET)和面向可制造性的設計輔助(Design For Manufactu

2、rability,DFM)成為不可或缺的一環(huán)。光學鄰近校正(Optical Proximity Correction,OPC)便是經常使用的分辨率增強技術。一方面,亞分辨率輔助圖形(Sub-Resolution Assist Features,SRAF)作為光學鄰近校正的預處理步驟,會在主圖形周圍加入輔助圖形以改善光強對比度以及焦深。而另一個方面,熱點檢測(HotspotDetection)則是光學鄰近校正后驗證的關鍵步驟,它以快速、可

3、靠定位光刻過程中可能出現的問題區(qū)域,從而幫助光學鄰近校正配方進行修復和調整。
　　 本文研究并提出了一種利用測試圖形優(yōu)化亞分辨率輔助圖形配方的方法,該法將一維參數與二維參數分步優(yōu)化。與傳統得到亞分辨率輔助圖形配方方法比較,能較好地減少邊放置誤差,改善工藝窗口,并減小配方的復雜度。通過65納米工藝節(jié)點的實驗,表明了該種方法能夠減小10％的邊放置誤差。同時工藝窗口有很好改善,未出現亞分辨率輔助圖形刻出的現象。
　　 本文還實