1、本論文主要研究內(nèi)容為功率VDMOSFET終端結(jié)構(gòu)的擊穿特性。對一款700VVDMOSFET終端結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化設(shè)計。
　　首先研究了半導(dǎo)體功率器件雪崩擊穿的條件和機制，代入無限大平面結(jié)和突變柱狀結(jié)的邊界條件得到擊穿電壓的解析方程。通過對無限大平面結(jié)的研究，發(fā)現(xiàn)平面結(jié)與外延層參數(shù)的選取有直接關(guān)系，因此可以推導(dǎo)計算出外延層濃度和厚度參數(shù)，通過仿真驗證，計算出來的外延層參數(shù)與實際的仿真結(jié)果誤差很小。突變柱狀結(jié)主要用于主結(jié)擊穿電壓的研究，結(jié)

2、果表明柱狀結(jié)的曲率半徑與結(jié)的擊穿電壓有直接關(guān)系，曲率越小，結(jié)的擊穿電壓越高，這也為其他終端技術(shù)提供了理論基礎(chǔ)。
　　然后介紹了幾種常見的終端技術(shù)，對橫向變摻雜技術(shù)做了簡要分析，對場限環(huán)技術(shù)，終端場板技術(shù)做了詳細(xì)分析和仿真驗證。通過改變場限環(huán)結(jié)深，場限環(huán)間距，復(fù)合場板結(jié)構(gòu)，探究其與終端擊穿特性之間的關(guān)系。之后提出了一種高壓功率器件改進場板的方法與設(shè)計，通過調(diào)節(jié)金屬-多晶硅復(fù)合場板結(jié)構(gòu)，使金屬浮空場板的邊緣覆蓋住多晶硅浮空場板的邊緣，

3、最終使場板內(nèi)部的場強相互削弱，減小表面最大電場?；诖死碚?，做了一組采用傳統(tǒng)金屬-多晶硅復(fù)合場板和改進后的金屬-多晶硅復(fù)合場板結(jié)構(gòu)的VDMOSFET終端仿真驗證。
　　通過上文對終端技術(shù)的研究，本文設(shè)計了一款4個場限環(huán)外加金屬多晶硅復(fù)合場板結(jié)構(gòu)的VDMOSFET，通過對外延層參數(shù)的優(yōu)化，場限環(huán)位置和個數(shù)的選取，金屬-多晶硅復(fù)合場板參數(shù)的調(diào)節(jié)，最終在151μm的有效終端長度上設(shè)計了一款耐壓為772V的終端結(jié)構(gòu)，在保證相同耐壓前提下比