1、20世紀80年代問世的低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),以其低功耗、高效率、低噪聲、體積小等優(yōu)點深受人們的青睞。然而,早期的LDO采用級聯(lián)增益放大器,穩(wěn)定性受限。此外LDO電路的頻率補償和瞬態(tài)響應性能改善普遍依賴于外接大電容器,影響了系統(tǒng)的集成。然而,很多應用場合對電源管理芯片精度提出了較高的要求。順應這一要求,低壓差、低功耗、高穩(wěn)定性、高精度且不依賴片外電容器的高性能LDO就成為線性穩(wěn)壓器的一個主要研究方向。
　　 論文對國內外LD

2、O的設計方法做了廣泛的調查研究,分析了這些方法的工作原理及現(xiàn)有LDO的優(yōu)缺點,并在吸收國內外最前沿的LDO設計的基礎上,為滿足現(xiàn)代便攜式電子產品對電源管理系統(tǒng)日益增長的低壓差、高精度等需求,設計了一種高性能BiCMOS低壓差線性穩(wěn)壓器。整體電路包括帶軟啟動的BiCMOS帶隙基準源(BGR)、“套筒式”共源-共柵(Cascode)頻率補償電路等,以提高LDO的穩(wěn)定性。為了改善線性瞬態(tài)響應性能,在BiCMOS誤差放大器的前級設置了動態(tài)偏置電

3、路。由于所設計的帶隙基準源對溫度的敏感性較小,故能為LDO提供高精度的基準電壓。
　　 采用標準的臺積電(TSMC)0.35μm BiCMOS工藝模型,通過Pspice 8.0軟件對所設計的LDO整體電路進行了仿真試驗。試驗結果表明,該LDO可提供500mA的輸出電流且最小壓差只有100mV。該試驗同時驗證了所設計的LDO的負載和瞬態(tài)響應參數(shù)都得以改善:負載調整率為0.054mV/mA,線性調整率為0.014%,輸出電壓溫漂僅為