1、自旋憶阻器件兼具電致阻變和磁電阻效應，可以實現多個電阻態(tài)，在多態(tài)非易失性存儲器和人工神經網絡等技術中具有廣闊的應用前景，因此，尋找一種能同時對電場和磁場響應的材料至關重要。本文設計并采用磁控濺射方法制備了以ZnO-Co和ZnO/ZnO-Co作為功能層、以Pt作為電極的自旋憶阻器件，研究了它們的電致阻變和磁電阻效應。
　　(1)以ZnO-Co顆粒膜作為功能層的Pt/ZnO-Co/Pt器件表現出穩(wěn)定的雙極性電阻轉變行為，并且其不需要軟

2、擊穿過程，這可能是因為功能層ZnO中的Co顆粒的存在不僅可以作為導電絲形成的前驅體，而且還有助于局域電場的增強，從而在減小導電絲形成隨機性的同時還可以進一步降低能耗；
　　(2)以ZnO/ZnO-Co雙層膜作為復合功能層的器件在表現出雙極性電阻轉變行為的同時，在高、低阻態(tài)下均具有室溫磁電阻效應，因此，通過外加電場和磁場的調控，Pt/ZnO/ZnO-Co/Pt器件可以實現四個電阻態(tài)。分析表明，其電致阻變行為歸因于氧離子遷移導致的氧空

3、位的積累以及功能層中Co的貢獻。高、低阻態(tài)下的磁電阻效應分別符合隧穿機制和巨磁電阻機制；
　　(3)在上述結果的基礎上，通過改變ZnO-Co層中Co的含量可以有效調制ZnO-Co的電阻，從而使得在以ZnO-Co膜作為功能層的器件中也可以同時實現電致阻變和磁電阻效應。
　　總之，以ZnO-Co和ZnO/ZnO-Co作為功能層的器件均顯示雙極性阻變特性，并且在高、低阻態(tài)下均具有室溫磁電阻效應。因此，通過電場和磁場的調控，我們可以