1、自從上個世紀八十年代半導體業(yè)界研究開發(fā)出新型的閃速存儲器技術FlashMemory,作為一種結構簡單性能可靠的不揮發(fā)性(Non-Volatile)存儲,它區(qū)別于常規(guī)的DDR、SDRAM和RDRAM等揮發(fā)性內存能夠在斷電情況下長久可靠地保存數據信息。Flash依靠其大容量低成本、優(yōu)秀的可靠性和耐用性、高達10萬次的可擦寫壽命以及易于使用和對各種惡劣環(huán)境的適應能力等突出的特點,迅速地得到市場的青睞。被各類便攜型數字設備所采用,成為諸多手機、

2、筆記本電腦等數碼設備的存儲介質基礎。自然而然Flash產品和Flash技術成為了半導體集成電路業(yè)界的寵兒,各個集成電路代工工廠和制造廠家都大量的生產制造Flash產品以滿足廣大市場的需求。然而在整個Flash制造工藝的光刻環(huán)節(jié)中始終存在一個揮之不去的難題——SlashIssue,Slashissue會對Flash產品造成相當大面積的良率損失,甚至于對工藝中的某些層直接造成報廢。因此對Flash產品中的SlashIssue的分析和研究對于

3、良率的提高和成本的降低有著重大的意義。
　　由于SlashIssue集中出現在光刻工藝環(huán)節(jié),所以本文從Flash的發(fā)展史,工作原理和結構優(yōu)缺點等基本知識做鋪墊,詳細介紹了與Flash制造密切相關的光刻工藝環(huán)節(jié)所涉及到的硬件和軟件方面內容,包括整個光刻工藝的工作流程,光刻中需要用到的化學物質,硬件設備的結構和工作原理以及軟體方面的顯影工藝制程。然后分別從這些方面分析了各自與Slashdefect形成的關系。
　　本文選擇以一個

4、實際生產制造中出現的Slashdefect造成整個代工廠Flash產品當線停產的case作為實例,通過一系列對比測試和試驗,在排除內部和外部環(huán)境、化學品、硬件設備方面的可能性之后,將Slashdefect形成的根本原因鎖定在顯影制程上。然后通過增加涂布TARC光阻層以及建立更為優(yōu)化的新顯影程式,最終將Flash產品中的Slashissue完美的解決掉。確保了Flash產品不會因為DRBtestfail而導致報廢,避免了大量產品良率丟失和