1、在全球氣候變暖的背景下，以低能耗、低排放、低污染為特征的“低碳經(jīng)濟”是全球熱點。節(jié)約能源是我國經(jīng)濟持續(xù)快速發(fā)展的基本國策，新型電力電子器件在其中扮演著非常重要的角色。因此，對溝槽型MOS器件的研究與設計具有極大的現(xiàn)實意義。
　　本文首先對器件閾值電壓、導通電阻、擊穿電壓和終端結構模型進行了深入研究與分析，指出了P-Body區(qū)雜質(zhì)濃度分布形狀和溝槽深度是低壓溝槽型MOS器件設計的最主要的關鍵技術。隨后對低壓溝槽型MOS器件制造工藝進

2、行了設計。確定了易于控制P-Body區(qū)雜質(zhì)濃度分布形狀的低制造成本的工藝方案;給出了耐壓大于65V的與元胞工藝完全兼容的終端結構;設計了與工藝相兼容的抗ESD多晶硅二極管結構;給出了器件整個工藝和結構形成過程。然后借助仿真軟件Tsuprem4和Medici，對低壓溝槽型MOS器件工藝過程和電學特性進行了設計與模擬。仿真給出的器件元胞結構形貌非常逼真;器件電學特性仿真結果與理論分析一致。為器件設計和試制奠定了扎實的基礎。最后設計和試制了一