1、溫度可靠性是HEMT器件可靠性研究的重要方面。對于AlGaN/GaN HEMT器件在高溫下的特性及可靠性表現(xiàn)，國內外都已經(jīng)進行了大量的相關研究及報道，試驗的手段以及對結果的機理分析相對成熟，而關于低溫特性的試驗與分析則非常少見。所以本文著重研究AlGaN/GaN HEMT器件的低溫電學特性。
　　 測量并分析了SiC襯底上AlGaN/GaN異質結中2DEG的磁輸運特性。得到了2DEG在超低溫下的濃度和遷移率。在4.2K溫度下，當

2、磁場強度接近4T時，出現(xiàn)舒伯尼科夫-德哈斯振蕩。通過分析SdH曲線得到了許多2DEG的重要信息，觀察到了量子霍爾平臺，推算出了電子的有效質量及量子散射時間。
　　 制備了柵長為1μm，柵寬為100μm的SiC襯底AlGaN/GaN HEMT器件，在300K到88K的溫度范圍內進行電學特性測試。發(fā)現(xiàn)器件飽和漏極電流隨溫度降低而顯著增加。低溫下AlGaN/GaN異質結表面與界面的散射機制發(fā)生變化，使2DEG遷移率升高。閾值電壓隨溫度