1、隨著器件尺寸的不斷減小，按比例縮小技術將逐漸接近于其物理極限，并受到經濟成本不斷增加的制約，所以其實際效益呈持續(xù)下降的趨勢。應變硅技術通過在傳統(tǒng)的體硅器件中引入應力來改善遷移率對器件性能的制約，而且應變硅MOSFET與體硅工藝兼容，因而得到越來越廣泛的應用，延續(xù)著摩爾定律的發(fā)展，但應變硅MOSFET的可靠性問題也日益重要。
　　 本論文在分析應變硅基本物理特性、應變硅器件類型和應變硅MOSFET基本結構的基礎上，重點研究了雙軸應

2、變硅MOSFET的熱載流子效應。論文首先分析了熱載流子效應產生的機制和熱載流子效應引起的失效機理，建立了反映熱載流子效應的襯底電流模型，并仿真分析了柵長、柵氧厚度、源漏結深等器件參數對襯底電流的影響。然后仿真了熱載流子效應對應變硅MOSFET轉移特性的影響，分析了熱載流子效應引起應變硅MOSFET閾值電壓和跨導等參數退化的原因。最后論證了改善應變硅MOSFET熱載流子效應的LDD結構，并對LDD結構抑制熱載流子效應的機理進行了分析和研究