1、隨著器件尺寸的不斷減小，按比例縮小技術(shù)將逐漸接近于其物理極限，并受到經(jīng)濟成本不斷增加的制約，所以其實際效益呈持續(xù)下降的趨勢。應(yīng)變硅技術(shù)通過在傳統(tǒng)的體硅器件中引入應(yīng)力來改善遷移率對器件性能的制約，而且應(yīng)變硅MOSFET與體硅工藝兼容，因而得到越來越廣泛的應(yīng)用，延續(xù)著摩爾定律的發(fā)展，但應(yīng)變硅MOSFET的可靠性問題也日益重要。
　　 本論文在分析應(yīng)變硅基本物理特性、應(yīng)變硅器件類型和應(yīng)變硅MOSFET基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，重點研究了雙軸應(yīng)

2、變硅MOSFET的熱載流子效應(yīng)。論文首先分析了熱載流子效應(yīng)產(chǎn)生的機制和熱載流子效應(yīng)引起的失效機理，建立了反映熱載流子效應(yīng)的襯底電流模型，并仿真分析了柵長、柵氧厚度、源漏結(jié)深等器件參數(shù)對襯底電流的影響。然后仿真了熱載流子效應(yīng)對應(yīng)變硅MOSFET轉(zhuǎn)移特性的影響，分析了熱載流子效應(yīng)引起應(yīng)變硅MOSFET閾值電壓和跨導(dǎo)等參數(shù)退化的原因。最后論證了改善應(yīng)變硅MOSFET熱載流子效應(yīng)的LDD結(jié)構(gòu)，并對LDD結(jié)構(gòu)抑制熱載流子效應(yīng)的機理進行了分析和研究