A位復合離子取代BNT-BT壓電陶瓷的微觀結構、電性能和介溫穩(wěn)定性研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩87頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、本文采用固相燒結工藝制備了A位復合離子取代0.95(Bi0.5Na0.5)1-x(Li0.5Nd0.5)xTiO3-0.05BaTiO3(簡寫為BNTLNx-BT5)無鉛壓電陶瓷。系統(tǒng)地研究A位復合離子(Li0.5Nd0.5)2+取代對0.95Bi0.5Na0.5TiO3-0.05BaTiO3陶瓷的晶體結構、鐵電性能和壓電、介電特征的影響,并探討了A位復合改性對介電、壓電性能的作用機理。主要創(chuàng)新點和結果如下:
  研究了A位復合離

2、子(Li0.5Nd0.5)2+取代對BNTLNx-BT5(x=0、0.01、0.03、0.05、0.07、0.1)陶瓷的顯微結構、壓電和介電性能的影響。XRD結果表明:在x=0.01~0.03時,BNTLNx-BT5陶瓷存在一個斜方六面體結構與偽立方結構共存的準同型相界(MPB)。SEM結果表明:適量(Li0.5Nd0.5)2+復合離子取代促進晶粒增長,在x=0.07時,樣品的晶粒尺寸達到最大值(~9μm)。適量的(Li0.5Nd0.5

3、)2+離子取代能誘導BNTLNx-BT5陶瓷的介電彌散指數(shù)γ的增加。在x=0.07時,BNTLNx-BT5陶瓷擁有最佳的壓電常數(shù) d33=135pC/N和最高的彌散指數(shù)γ=1.90。(Li0.5Nd0.5)2+復合離子取代導致BNTLNx-BT5陶瓷的介電常數(shù)εr和介電損耗tanδ逐步增加。
  研究了極化電場Epol對BNTLNx-BT5陶瓷塊狀和粉末的晶體結構的影響。極化電場誘導電疇的有序化和誘導“偽宏疇”的形成,導致 BNT

4、LNx-BT5體系的塊狀與粉末都出現(xiàn)了分峰及峰強的變化。研究了極化電場對BNTLN0.01-BT5陶瓷的晶體結構、壓電介電性能的影響。當Epol=20kV/cm時,由于大量納米疇組合成“偽宏疇”,且“偽宏疇”的有序度高,(003)/(021)峰的強度比值大于1,樣品的壓電常數(shù)d33達到飽和(d33=124pC/N)。當Epol≥30kV/cm時,(003)/(021)峰的強度比值略有降低,壓電常數(shù)d33降低。室溫介電常數(shù)的頻率依賴性Δε

5、r隨極化電場Epol的提高而弱化。Epol致使電疇的尺寸增加,導致介電頻率依賴性隨溫度提高而降低。
  研究了燒結溫度(Ts=1070,1100,1130,1160oC)對BNTLN0.03-BT5陶瓷的晶體結構、形貌和壓電介電性能的影響。結果表明:當Ts=1070~1110oC時,樣品具有斜方六面體結構,而當Ts=1130~1160oC時,樣品晶體結構為偽立方結構。在Ts=1130oC時,BNTLN0.03-BT5樣品表現(xiàn)出了最

6、佳的壓電性能d33=140pC/N,kp=0.30,Qm=218, kt=0.55。隨著 Ts的提高,樣品的介電常數(shù)εr和介電損耗 tanδ緩慢增加。此外,在25oC≤T≤200oC的溫度范圍內,樣品介電頻率依賴性隨溫度的提高逐漸降低。樣品的彌散指數(shù)γ隨著燒結溫度的提高而逐漸增大。
  研究了退火溫度(Ta=25、800、850、900、950、1000oC)對 BNTLN0.03-BT5陶瓷的晶體結構、壓電和介電特征的影響。在

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論