1、作為一種直接帶隙寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,ZnO禁帶寬度達(dá)到3.37eV,在可見(jiàn)光波段的透過(guò)率很高,可高達(dá)90％以上,且具有原材料豐富、價(jià)格低、無(wú)毒、易于實(shí)施摻雜,在氫、氮等氣體的等離子體氣氛中穩(wěn)定性要優(yōu)于ITO薄膜等優(yōu)點(diǎn)。因此,ZnO基透明導(dǎo)電薄膜特別是其摻雜體系被認(rèn)為是迄今為止最具發(fā)展前景的ITO薄膜替代品。對(duì)摻雜ZnO薄膜進(jìn)行研究具有很大的現(xiàn)實(shí)意義和實(shí)用價(jià)值,因而引起了人們?nèi)找鎻V泛的關(guān)注并成為研究熱點(diǎn)。
　　 本論文主要以Z

2、nO作為基質(zhì)材料。首先采用電子束蒸發(fā)方法在石英玻璃襯底上制備質(zhì)量?jī)?yōu)良的ZnO:Al/ZnO雙層薄膜。通過(guò)X射線衍射、霍爾測(cè)試及透過(guò)光譜等表征手段對(duì)薄膜進(jìn)行結(jié)構(gòu)、電學(xué)及光學(xué)性能的測(cè)試表征,并研究了氧化鋅緩沖層沉積時(shí)間(即緩沖層厚度)跟Al摻雜濃度對(duì)薄膜的影響。結(jié)果表明氧化鋅緩沖層的引入提高了薄膜的結(jié)晶質(zhì)量。隨著緩沖層沉積時(shí)間的增加,(002)衍射峰強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)。薄膜電學(xué)性能最佳的實(shí)驗(yàn)參數(shù)為緩沖層沉積厚度為50nm,Al摻雜濃度為1wt%。

3、緩沖層沉積時(shí)間對(duì)薄膜光學(xué)透過(guò)率影響不大,而過(guò)高的Al摻雜濃度會(huì)引起薄膜光學(xué)透過(guò)率的降低。
　　 接下來(lái),探究性的研究了Eu摻雜ZnO薄膜的光電性能。采用電子束蒸發(fā)法在石英玻璃襯底上沉積ZnO:Eu/ZnO雙層薄膜。XRD測(cè)試結(jié)果同樣證明引入緩沖層能夠提高薄膜的結(jié)晶程度。并對(duì)Eu摻雜濃度對(duì)薄膜電學(xué)性能的影響進(jìn)行分析研究。薄膜在可見(jiàn)光波段透過(guò)率平均達(dá)到85%以上。Eu3+與Li+摩爾比為3:1的情形下,通過(guò)Li+的敏化劑作用,實(shí)現(xiàn)Z