1、隨著無(wú)線通信技術(shù)的飛速發(fā)展和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的逐步部署以及用戶需求的日益提高，逐漸要求無(wú)線收發(fā)機(jī)具有多模的功能。一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)多模收發(fā)機(jī)通常要求采用多個(gè)PA，而采用多模功率放大器代替多個(gè)功率放大器則有著很好的市場(chǎng)前景。
　　 在當(dāng)前市場(chǎng)上，手機(jī)用PA大都是采用GaAs工藝。如果采用SiGe BiCMOS工藝或CMOS工藝代替GaAs工藝可得到較高性價(jià)比的PA，不僅可以降低成本，還可以提高產(chǎn)品的集成度。
　　 本文首先介紹了在功

2、率放大器設(shè)計(jì)中所涉及到的各種器件的模型，包括HBT模型、集成無(wú)源器件模型和分立無(wú)源器件模型;然后詳細(xì)介紹和分析了功率放大器有關(guān)的理論，諸如傳統(tǒng)功率放大器的理論、開(kāi)關(guān)功率放大器理論、匹配理論、功率放大器的非線性分析以及功率放大器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在這些理論基礎(chǔ)上，完成了射頻功率放大器模塊的設(shè)計(jì)。
　　 本文基于GSMC0.18μm SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)應(yīng)用于GSM和TD-SCDMA系統(tǒng)的功率放大器模塊，完成了從電路設(shè)計(jì)、

3、版圖設(shè)計(jì)、仿真到最后芯片鍵合測(cè)試的所有工作。第一次流片的測(cè)試結(jié)果顯示兩個(gè)通路的功率放大器，其中心頻率分別從900MHz和1900MHz偏移到548MHz和862MHz;最大輸出功率分別為23.19dBm，18.56dBm;增益分別為10dB和15dB，測(cè)試結(jié)果較后仿真結(jié)果有一些區(qū)別。分析其原因，一方面是因?yàn)槲覀兊谝淮问褂肎SMC0.18μm SiGe BiCMOS工藝;另外一方面該工藝是宏力半導(dǎo)體公司剛推出不久，器件模型方面也不是很準(zhǔn)確