1、本文對于AIC82103主要器件的結構進行了分析，并用PISCES-II軟件對某些器件的特性進行了模擬。通過分析器件的版圖和縱向圖，確定了各個器件的版圖層次和縱向結構。在此基礎上，分析了各個器件的結構特點。在AIC82103中，尤為突出的是起電平移位作用的LDMOS（橫向雙擴散）管。該器件采用了多種終端技術，包括內場限環(huán)技術，浮置場環(huán)和弱化表面電場技術等。本文所設計的HVIC在工藝上采用ABCD技術，將多種器件如高壓LDMOS、NMO

2、S、PMOS、各種擊穿電壓不等的ZENER管、二極管，電阻，電容等集成在同一芯片上，并保證電路在600V高壓下協(xié)同工作。為將高低壓電路集成在同一芯片上，采用PN結對通隔離技術將連接不同電源電位的襯底隔離開。此外，本文還應用PISCES-II軟件對AIC82103中三個最有特點的器件進行了模擬。通過修改器件的參數(shù)，使器件的特性達到電路上的要求。最后，通過分析模擬的結果，確定了部分器件的版圖尺寸，并畫出了器件的版圖。最終的流片結果表明：