基體偏壓對(duì)鎂合金表面CrAlTiN膜層沉積速率及性能的影響.pdf_第1頁(yè)
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1、本文通過(guò)改變基體偏壓和沉積時(shí)間等沉積參數(shù),研究了使用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)在鎂合金表面沉積高硬耐磨的CrAlTiN膜層的可能性。對(duì)不同偏壓下膜層的厚度、硬度、結(jié)合力、耐磨性和表面形貌進(jìn)行了檢測(cè)分析,探討了偏壓對(duì)鎂基CrAlTiN膜層性能的影響機(jī)理,并對(duì)不同沉積時(shí)間下膜層的厚度、硬度、結(jié)合力、耐磨性和表面形貌進(jìn)行了檢測(cè)分析,探討了膜層的生長(zhǎng)機(jī)理。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:偏壓是影響膜層能否沉積到基體的關(guān)鍵因素,對(duì)于鎂基CrAlTiN膜層,

2、偏壓大于65V時(shí)膜層難以沉積到基體上。在偏壓處于30V-65V之間時(shí):高的濺射偏壓雖不利于膜層厚度的增加,但可提高相同沉積時(shí)間條件下膜層的顯微硬度;膜基結(jié)合力隨偏壓的增大先上升后下降,膜層的耐磨性與膜基結(jié)合力呈現(xiàn)出一致性,偏壓為35V~40時(shí)的耐磨性能最好;隨著偏壓增大,膜層表面致密性增強(qiáng),孔洞減少,顆粒間熔結(jié)凝聚;偏壓小于45V時(shí),CrAlTiN膜層的組織結(jié)構(gòu)為晶帶1型,偏壓大于50V后,膜層組織結(jié)構(gòu)為晶帶T型。膜層厚度與沉積時(shí)間近乎

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