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文檔簡介
1、本文介紹了利用脈沖激光分子束外延技術(L-MBE)生長LaAlO<,3>/BaTiO<,3>(LAO/BTO)超晶格薄膜,并首次發(fā)現(xiàn)其具有比相同工藝條件下生長的SrTiO3/BaTiO3更優(yōu)良的電學性能,其介電損耗比SrTiO<,3>/BaTiO<,3>超晶格薄膜至少小一個數(shù)量級.更重要的是LAO/BTO超晶格薄膜具有明顯的鐵電性能,其2Pr可達到25 μc/cm2.由于超晶格薄膜的性能決定于生長和結構,因此,在薄膜生長過程中,我們首先
2、利用高能電子衍射技術(RHEED)對LAO/BTO超晶格薄膜的生長進行研究,然后再利用X射線衍射技術對其結構進行分析.在成功生長出高質量外延LAO/BTO超晶格薄膜的基礎上,我們對LAO/BTO超晶格薄膜鐵電性能的可控性進行了研究.最后,我們通過改變LAO/BTO超晶格薄膜的結構對稱性,發(fā)現(xiàn)在一定BTO層厚度的條件下,增加LAO層的厚度,超晶格薄膜的鐵電性能開始逐漸增加,這進一步說明了在鐵電超晶格薄膜中界面應力對超晶格薄膜電學性能具有重
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