1、VO2是一種熱敏功能材料，在68℃會發(fā)生從單斜結構半導體相向金紅石結構金屬相的可逆轉變，同時伴隨著光學、電學等性能的突變，其在光電開關、光存儲、非制冷紅外、智能窗等諸多方面有廣闊的應用前景，使得VO2薄膜的制備及性能的研究成為研究熱點。
　　第一章介紹了VO2的晶體結構，相變機理及性能，并闡述VO2薄膜作為一種新型薄膜材料的應用前景。
　　第二章介紹了VO2薄膜的常用制備方法，重點介紹了本文實驗采用的磁控濺射法的鍍膜機理及制

2、備VO2薄膜的實驗過程，實驗中采用的薄膜表征檢測技術。
　　第三章研究直流磁控濺射法制備VO2薄膜的工藝，重點研究了氧分壓，濺射時間及基底對薄膜相變性能的影響，結果表明：當濺射功率為100W，濺射氣壓為1.5Pa，氧分壓為3%，濺射時間為1h，并在氮氣中450℃退火保溫2小時的薄膜樣品相變性能優(yōu)異，VO2含量最多。薄膜的可見光透過率隨著濺射時間的減少而增加。
　　第四章采用直流/射頻反應磁控共濺射法制備了摻鎢的VO2薄膜及摻

3、鈦的VO2薄膜；采用直流磁控濺射法，通入氮氣作為摻雜源制備了摻氮的VO2薄膜。實驗結果表明：摻鎢VO2薄膜的相變溫度降低到了37℃，摻鈦VO2薄膜的相變溫度升高到了67℃，而摻氮VO2薄膜的相變溫度為55℃，摻雜后VO2薄膜的相變性能都有所改變。
　　第五章采用直流磁控濺射法制備了TiO2/VO2雙層膜，還研究了在不同工藝下制備的TiO2緩沖層對VOx薄膜性能的影響。綜合上述研究成果，用直流磁控濺射法在玻璃基片上先沉積TiO2緩沖