1、半導體技術在經(jīng)過幾十年的發(fā)展之后，元素半導體和化合物半導體成為半導體領域中兩類主要的半導體。硅半導體器件和集成電路占據(jù)了半導體市場的90％以上，而化合物半導體中的砷化鎵半導體材料研究時間長，工藝也最成熟。
　　GaAs器件的遷移率可以高達6000cm2/V·s，禁帶寬度較寬室溫下為1.424eV工作溫度上限高，且為直接帶隙半導體發(fā)光效果好，制成的異質(zhì)結器件電子濃度大。GaAs材料的應用廣泛，器件種類多，如高電子遷移晶體管HEMT，

2、異質(zhì)結雙極晶體管HBT，霍爾器件（傳感器），以及各種光電器件諸如LED、量子阱激光器、太陽能電池等。
　　GaAs基的HEMT以高功率、低噪聲廣泛應用于移動通訊、衛(wèi)星接收、微波低噪聲、信號的放大和發(fā)射等領域。GaAs贗配高電子遷移率晶體管（PHEMT）為HEMT的改進型，具有更大的二維電子氣濃度（2DEG）和更高的遷移率，其功率、頻率和噪聲特性更加優(yōu)良。為了獲得具有更高的ns×μn，PHEMT由單異質(zhì)結向雙異質(zhì)結發(fā)展，在溝道層的下

3、方生長摻雜的反結，形成方形量子勢阱，提高對二維電子氣的限制作用，提高器件的性能。但結果并不像預期的那樣，初步估計是由于反結界面的不平整和缺陷造成的。
　　論文工作基于本課題組的前期研究基礎，研究MBE工藝中InGaAs在AlGaAs上的外延機理與生長模式，通過控制優(yōu)化AlGaAs隔離層和InGaAs溝道層的生長工藝，改善材料結構中AlGaAs/InGaAs反結的界面性能，從而同時獲得高載流子濃度與高電子遷移率，實現(xiàn)了性能較優(yōu)異的高