基于65nm DDR PHY數(shù)字后端設計方法的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來，集成電路一直在迅猛發(fā)展，隨著集成電路的特征尺寸的不斷縮小，集成電路的集成度和速度不斷提高，集成電路的功耗也變得越來越高。面積、時序、功耗等等，在IC設計中遇到越來越多新的難題。如何運用新的技術去解決65nm甚至以下的設計難題，是我們需要去學習和探討的。同時，技術的進步使得電子產(chǎn)品的更新速度越來越快，而其中芯片的設計公司所面臨著成本、及時上市的壓力，怎樣更好更快的完成芯片的設計，也是我需要去積累和摸索的。
　　本文基于SMI

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