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文檔簡介
1、本文在一種新型PMMSN五元系壓電陶瓷的基礎上,研究出一種添加少量CdO、SiO2的低溫燒結壓電陶瓷材料,同時從配方和工藝兩方面對低溫燒結機理和各種摻雜改性作用進行了初步探索。 研究確立的材料配方為: Pb(Mg1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Nb2/3)0.032(Mn1/3Sb2/3)0.008Zr0.46Ti0.46O3+0.1wt﹪SiO2+0.6wt﹪CdO 優(yōu)化的制備工藝參數為:預燒:700℃,
2、4h燒結:900℃/4h極化溫度:150℃極化電場:3.5kV/mm極化時間:10min 實驗結果表明,在PMMSN中添加適量低熔物可使燒結溫度降至850℃,屬于過渡液相燒結。燒成樣品XRD分析顯示陶瓷具有單純鈣鈦礦結構,SEM圖顯示這種低溫燒結陶瓷結構均勻、致密。900℃/4h燒成的較佳配方的主要性能參數如下: kp=0.56、d33=311pC/N、Qm=1062、tgδ=0.5﹪ρv=7.73×103kg/m3、T
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