1、應變硅以其遷移率高、與傳統(tǒng)硅工藝兼容等優(yōu)點成為當前國內外關注的研究領域和研究發(fā)展重點，在高速/高性能器件和電路中有極大的應用前景。應變硅遷移率的研究對應變硅器件研究與電路設計具有極其重要的理論價值和指導意義，目前，有關應變硅材料晶向的研究鮮有報道，而晶向是影響遷移率的重要因素之一。
　　 本文主要研究應變硅空穴各機制散射幾率及空穴遷移率與晶向、應力的理論關系。首先分析了應變硅形成機理、能帶結構變化、空穴態(tài)密度有效質量，進而分析了

2、空穴遷移率增強機理。然后從量子力學理論出發(fā)，基于空穴態(tài)密度有效質量模型，研究建立了空穴各機制散射幾率模型，包括電離雜質散射、聲學聲子散射、非極性光學聲子散射?；诳昭妼в行з|量各向異性，進一步獲得了應變硅空穴遷移率與晶向及應力的量化關系，結果表明，應變硅各晶向空穴遷移率隨鍺組分增加而顯著增加，最后趨于飽和，其中，[001]晶向遷移率＞[010]＞[-101]＞[1-10]＞[111]。
　　 本文所得模型數(shù)據(jù)量化，為認識應變硅