1、基于熱敏電阻的非制冷紅外微測(cè)輻射熱計(jì)是目前主流的低成本非制冷紅外熱探測(cè)器之一，近年來(lái)越來(lái)越受到各國(guó)研究者的關(guān)注。本論文從非制冷紅外微測(cè)輻射熱計(jì)用材料性能研究和器件微結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)兩方面進(jìn)行研究，希望從這兩方面改進(jìn)以實(shí)現(xiàn)器件性能的提升。
　　 論文分析了絕熱結(jié)構(gòu)的重要性和目前微器件中絕熱結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了非制冷紅外微測(cè)輻射熱計(jì)的工藝流程，提出了將多孔硅作為絕熱層的新思路，利用L-EDIT軟件設(shè)計(jì)了工藝流程和版圖，制作了4塊2.5寸光刻版

2、并進(jìn)行工藝實(shí)施。同時(shí)，研究了多孔硅的實(shí)驗(yàn)制備條件對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)影響；分析了多孔硅的微觀結(jié)構(gòu)和絕熱性能的關(guān)系，對(duì)比了不同孔隙率多孔硅的力學(xué)性能以及多孔硅基和硅基氧化釩薄膜的力學(xué)性能。
　　 實(shí)驗(yàn)采用電化學(xué)腐蝕制備絕熱層材料多孔硅，采用超高真空對(duì)靶磁控濺射鍍膜法在多孔硅樣品表面和硅基底表面沉積氧化釩薄膜。利用場(chǎng)致發(fā)射掃描式電子顯微鏡(FESEM)觀測(cè)多孔硅的二維微觀形貌，利用納米輪廓掃描儀組件(NP)得到其三維拓?fù)浞治鰣D像；利用顯微拉

3、曼光譜法測(cè)量熱導(dǎo)率；利用MTS Nano Indenter XP納米壓入測(cè)量?jī)x測(cè)量多孔硅及氧化釩薄膜的顯微硬度和楊氏模量。
　　 實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)孔隙率為50％、55％、65％的多孔硅樣品的熱導(dǎo)率分別為8.16/W/mK，7.28/W/mK，0.624/W/mK，其數(shù)值隨著孔隙率的增大而減?。粶y(cè)得多孔硅的平均硬度、平均楊氏模量分別在0.478GPa～1.171GPa和10.912GPa～17.15GPa范圍內(nèi)，其數(shù)值隨腐蝕電流密度的