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文檔簡介
1、本文首次利用MgB2作為超導多層膜中的超導體。對于這種多層膜的探討首先是對于雙層膜的研究。我們主要研究SSeS結,而其他的超導結比如SIS、SNS、SISIS等結可以采取與此相近的方法。對于MgB2超導SSeS結,本論文對它的臨界厚度進行了詳盡理論分析和公式推導。利用MAR(倍增AndreevReflection)解釋超導電子對或者空穴對穿越中間結的原理,從Ginzburg-Landau方程以及薛定諤方程出發(fā)研究了MgB2的SSeS超導
2、結的各種性質。對于結區(qū)勢壘,利用多階梯狀勢壘近似代替,加上Ginzburg-Landau方程以及薛定諤方程與各種邊界條件,得出一維條件下的位相解以及電流位相關系。在已經得到的結果上,接著對于利用MgB2作為SSeS結的超導層(Se為P型半導體)的臨界厚度公式進行了理論推導和實際探討:在得到的臨界厚度公式中有臨界厚度的大小和相干長度成正比,正是由于MgB2具有遠遠高于一般金屬以及二元化合物的臨界轉變溫度,還具有更大的相干長度,這對于得到大
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