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文檔簡介
1、隨著半導體激光器泵浦固體激光器技術的應用和發(fā)展,要求半導體激光器泵浦源有更高功率的同時還要有更好的光束質量特性。對于大功率半導體泵浦源而言,寬條形半導體激光器是它的一個主要發(fā)展方向。但由于寬條形半導體激光器本身固有的特點,諸如空間燒孔、自聚焦、熱透鏡現(xiàn)象、模式競爭等對半導體激光器的工作存在嚴重影響,特別是不存在適當?shù)膫认蚬鈭鱿拗拼胧r,它的光束特性與理想高斯光束相差很大。反映在光束質量因子上便是M<'2>遠大于1,這是許多應用所不能夠接
2、受的。在此根據(jù)載流子的空間擴散原理提出了兩種側向限制結構,通過優(yōu)化影響光束質量的因素使得器件的光束質量因子明顯降低、光束質量得到改善。 理論和實驗表明:普通寬條形半導體激光器的光束特性可以通過載流子擴散方式加以改善。本論文主要圍繞高光束質量的790nm單量子阱寬條形半導體激光器的設計、工藝制備及特性評價進行了深入研究,主要工作包括以下幾個方面: 1、基于器件理論及工藝過程論述了設計器件的原理與半導體激光器的制作工藝。
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