1、∥781483碩士學位論文(2005屆)AT細胞高輻射敏感性及其信號傳導機制研究StudyonthehighradiosensitivityofATcellanditssignaltransductionmechanism研究生姓名————星一壟墊指導教師姓名——瑩壟一專業(yè)名稱——叢盟匡莖研究方向叢盟生塹莖論文提交日期——2QQ生壘旦AT細胞高輻射敏瘳性及其信號傳導機制研究中文摘要體畸變率與劑量呈正相關，均可擬合成劑量效應直線方程y=a

2、bx，且AT細胞劑量效應直線回歸方程斜率明顯大于GM細胞(P005)；(3)經(jīng)0、1、2、3、4Gy6。CoY射線照射后，在同N量點，AT細胞hprt基因突變頻率明顯高于GM細胞(P001)，AT和GM細胞hprt基因突變頻率均與照射劑量呈正相關，可擬合成劑量效應直線方程y=abx，AT細胞hprt基因突變頻率直線回歸方程斜率明顯大于GM細胞(P005)；(4)PEBS7一YZ5成功轉染AT細胞，潮霉素篩選后獲得穩(wěn)定表達細胞株，RTPC

3、R檢測到ATM基因的轉錄，Westernblot檢測到ATM蛋白的表達：(5)PEBS7YZ5AT細胞在電離輻射誘導下，P53被磷酸化，免疫共沉淀顯示ATM與p53發(fā)生相互作用：(6)K562細胞經(jīng)60Coy射線照射后，P21被磷酸化，ATM抗體免疫共沉淀物中檢測到P21蛋白的存在。結論：(1)AT細胞與GM細胞受照后，微核率和微核細胞率與劑量成正相關，在同一劑量點下AT細胞微核率和微核細胞率顯著高于GM細胞(PO01)，因此我們在細胞

4、水平上得出AT細胞輻射敏感性顯著高于GM細胞的結論；(2)AT細胞與GM細胞受照后，染色體畸變率與劑量成正相關，在同一劑量點下AT細胞染色體畸變率明顯高于GM細胞(PO05)，表明了AT細胞受照后染色體損傷程度比GM細胞重，AT細胞輻射敏感性顯著高于GM細胞；(3)AT細胞與GM細胞受照后，HPRT基因突變率與劑量成正相關，在同一劑量點下AT細胞HPRT基因突變率明顯高于GM細胞(PO01)。表明了AT細胞遺傳物質(zhì)的基因位點損傷重于GM

5、細胞，AT細胞輻射敏感性顯著高于GM細胞；(4)在PEBS7YZ5穩(wěn)定轉染的AT細胞株中，外源性ATMmRNA和ATM蛋白在AT細胞中穩(wěn)定表達；(5)電離輻射能夠激活外源性的ATM激酶，激活的ATM可磷酸化其下游基因p53，并且ATM磷酸化P53的程度隨照射劑量的增加而增]Jth(6)電離輻射誘發(fā)的ATM激酶可不通過P53蛋白而直接磷酸化P21蛋白，且ATM磷酸化P21蛋白的程度隨照射劑量的增加而增加。關鍵詞；毛細血管擴張性共濟失調(diào)癥；