1、本文所得到的第三代TTF型電子給體的I類前體結構及其二階非線性強度。 1.第三代TTF型電子給體的Ⅱ類前體的合成、結構 Ⅱ類前體是兩個不同Ⅰ類前體耦合而成。選取腈乙基為保護基相比采用對苯乙酸基為保護基，可以增大耦合產(chǎn)物的極性，提高分離效率，從而提高耦合反應的產(chǎn)率。 2.第三代TTF型電子給體的Ⅲ類前體(直接前體)的合成、結構作為第三代TTF型電子給體的直接前體，我們合成了1，2-雙硫甲基-5-酮-四硫并環(huán)戊二烯(

2、1，2-bis(methylthio)-5-one-tetrathiapentalene(BMO-TTP))，并且報道了其結構；還合成了1，2-雙硫亞乙烯基-5-酮-四硫并環(huán)戊二烯(1，2-bis(vinylenethylthio1)-5-one-tetrathiapentalene(BVO-TTP))。此步反應為在合成第三代TTF型電子給體中的一系列反應中最為關鍵的一步，因為在反應過程的中間產(chǎn)物對氧氣極為敏感，慶幸的是最終產(chǎn)物為穩(wěn)定產(chǎn)

3、物。我們建立了Schlenk無水無氧反應裝置，攻克了此難關，為后續(xù)工作鋪平了道路。 3.第三代TTF型電子給體的合成、結構及性質(zhì) 4.本論文還在探索會屬二硫烯配合物型分子導體方面做了若干工作，合成了兩個屬于非中心對稱空間群的金屬二硫烯配合物(NMe<,4>)<,2>[Cd(dmit)<,2>]、(NMe<,4>)<,2>[Hg(dmit)<,2>]，它們的SHG強度分別為尿素標樣的0.5倍、0.6倍。導電性和非線性光學性