電針對實驗性腦缺血再灌注大鼠細胞凋亡及基因表達的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、背景資料 “中風”即現(xiàn)代醫(yī)學所稱的急性腦血管病,包括腦出血、腦梗塞、蛛網(wǎng)膜下腔出血等。臨床流行病學調(diào)查表明急性腦血管病是目前致死率最高的疾病之一。而缺血性中風約占75%,且有逐年增加的趨勢。因此預防和治療缺血性中風,降低它的發(fā)病率和致殘率,已成為當前迫切需要解決的問題。 腦缺血再灌注損傷是缺血性中風的重要病理生理機制,而缺血再灌注損傷中神經(jīng)元的凋亡扮演了重要角色。細胞的凋亡是個可逆的過程。目前,凋亡的詳細機制尚未完全清楚

2、,越來越多的證據(jù)表明凋亡主要發(fā)生在缺血的半暗帶區(qū)域,缺血半暗帶區(qū)存在著側(cè)枝循環(huán),有大量因可以獲得血供而存活的細胞,而缺血中心區(qū)因為快速的能量丟失引起細胞急性壞死,所以半暗帶區(qū)域被認為是腦缺血治療的目標所在。凋亡的發(fā)生有兩個重要的調(diào)節(jié)分子家族:一個是caspascs家族,包括caspase-3;另一個是bcl-2分子家族,包括bcl-2,bax。當bcl-2家族成員引起釋放促凋亡分子從而調(diào)節(jié)死亡信號時,caspascs始動并執(zhí)行細胞凋亡。

3、 目的 通過電針局灶性腦缺血再灌注大鼠模型,探討caspase-3、bcl-2、bax基因表達與局灶性腦缺血再灌注后神經(jīng)元凋亡間的關系,為臨床針灸治療缺血性腦血管病提供確切的理論依據(jù)。 方法 40只健康SD大鼠,分為假手術對照組、模型對照組、穴位治療組、非穴位對照組,每組10只。采用Zealonga線栓法建立大腦中動脈閉塞(MCAO)腦缺血再灌注損傷模型。穴位治療組選取“肩髃”、“外關”、“髀關”、“足三

4、里”穴,非穴位對照組取“天泉”與“曲澤”連線中點、“曲澤”與“郄門”連線中點、“足五里”與“陰包”連線中點和膝關節(jié)與“中都”連線中點共4點進行針刺,假手術組和模型組只固定不針刺。TUNEL(AP)法觀察與測定大腦皮層和海馬凋亡神經(jīng)元,免疫組織化學方法測定大腦皮層和海馬神經(jīng)元capase-3、bcl-2和bax基因表達。數(shù)據(jù)以均數(shù)±標準差表示,各組均數(shù)比較采用方差分析后最小顯著差(LSD)t檢驗,P<0.05為差異有顯著性意義。

5、結(jié)果 電針能明顯增加MCAO大鼠皮層和海馬bcl-2陽性細胞數(shù)及bcl-2/bax比值(P<0.05-0.001);顯著降低MCAO大鼠皮層和海馬的bax陽性細胞數(shù)、capase-3陽性細胞數(shù)及TUNEL染色陽性細胞數(shù)(P<0.05-0.001.),與模型對照組比較有顯著性差異。與假手術組比較,MCAO模型對照組大鼠皮層及海馬bcl-2陽性細胞數(shù)有增多的趨勢(P<0.05-0.001);皮層與海馬的bax陽性細胞數(shù)、capase

6、-3陽性細胞數(shù)和TUNEL染色強陽性的神經(jīng)細胞顯著增多(P<0.01-0.001);bcl-2/bax 顯著降低(P<0.05-0.01)。 與非穴位組比較,穴位治療組電針能明顯增加皮層和海馬bcl-2陽性細胞數(shù)、bcl-2/bax比值(P<0.05-0.001);顯著降低MCAO大鼠皮層和海馬的bax陽性細胞數(shù)、capase-3陽性細胞數(shù)、TUNEL染色陽性細胞數(shù)(P<0.001)。 結(jié)論 1、電針特定穴位能明

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