1、本文利用反應釜嘗試了一種新方法-無酸水熱法來制備多孔硅并對其發(fā)光性能進行了對比研究。 本研究工作的重點集中在研究不同反應參數(shù)對無酸水熱法多孔硅形貌和光致發(fā)光性能的影響，從而找到無酸水熱法合成優(yōu)質(zhì)多孔硅的最佳反應條件。通過掃描電鏡、拉曼光譜和光致發(fā)光譜，對用無酸水熱法所制備的多孔硅樣品進行了表面形貌、結(jié)構(gòu)及光致發(fā)光性能的表征。研究發(fā)現(xiàn)，無酸水熱法所制備的多孔硅的形貌及光致發(fā)光性能均優(yōu)于相同條件下常規(guī)電化學陽極氧化法制備的多孔硅，但

2、要想利用無酸水熱法得到的多孔硅在一定峰位有較強的發(fā)光，需要選擇合適的反應溫度、實驗原料和反應壓強。本文利用無酸水熱法所制備的多孔硅作為模板，在反應釜內(nèi)高溫、高壓的環(huán)境下，以去離子水為反應介質(zhì)，使SiO通過硅原子重結(jié)晶生長成硅納米線并對所制得的硅納米線進行了形貌和光致發(fā)光測試。結(jié)果表明，以多孔硅作為模板制備的硅納米線具有較好的取向性，其直徑受孔徑的尺寸大小的控制，多孔硅襯底表現(xiàn)出明顯的模板控制作用；對于其光致發(fā)光性能，可以肯定的是硅納米線