1、目的：觀察鋁致小鼠的病理組織學以及神經(jīng)行為的變化，研究代謝型谷氨酸受體和N—甲基—D—天冬氨酸受體(N—methyl—D—aspartatereceptor、NMDAR)在鋁致學習記憶損傷中的作用。 方法：取健康6月齡雄性C57BL小鼠40只，按體重隨機分為4組，每組10只即對照組(人工腦脊液組)、低劑量組(0.25％AlCl3)、中劑量組(0.5％AlCl3)、高劑量組(1％AlCl3)，連續(xù)五天經(jīng)側腦室分別注射上述液體3μl

2、，12天后跳臺試驗、避暗試驗和Morris水迷宮試驗，測定動物的學習記憶能力，而后猝死小鼠，取腦，觀察小鼠組織學變化。用RT—PCR檢測mGluR1、mGluR3、mGluR7、NMDAR1、NMDAR2B在小鼠腦內的表達，用免疫組化和Westernblot檢測NMDAR1、NMDAR2B在小鼠腦內的表達。 結果：小鼠學習記憶能力測試：1)在跳臺實驗中，與溶劑對照組相比，低劑量組潛伏期縮短(P＜0.05)中劑量組EN1和EN2均

3、明顯增加(P＜0.01)、潛伏期縮短(P＜0.05)；高劑量組EN1和EN2增加(P＜0.05)、潛伏期明顯縮短(P＜0.01)；2)在避暗實驗中，與溶劑對照組相比，。低劑量組的EN2增加(P＜0.05)；中劑量組EN2明顯增加(P＜0.01)、潛伏期縮短(P＜0.05)；高劑量組EN2均明顯增加(P＜0.01)、潛伏期均明顯縮短(P＜0.01)；3)在Morris水迷宮實驗中，與溶劑對照組相比，在4天的定位航行實驗中，中劑量組和高劑量

4、組逃避潛伏期增加(P＜0.05)；在第5天的空間搜索實驗中，中劑量組和高劑量組原平臺象限停留時間顯著縮短(P＜0.01)，穿越平臺次數(shù)顯著減少(P＜0.01)，原平臺象限游泳距離減少(P＜0.05)。病理組織學結果：常規(guī)HE染色鏡下可見對照組小鼠海馬錐體層神經(jīng)元形態(tài)結構基本正常，排列整齊，隨著染鋁劑量增加，細胞排列逐漸變零亂，高劑量組可見細胞連接松解，胞漿濃縮、深染、細胞核固縮，細胞周圍出現(xiàn)環(huán)狀帶。免疫組織化學染色結果：鏡下可見各組小鼠

5、海馬區(qū)錐體細胞層均有大量免疫反應陽性神經(jīng)元，NMDAR1和NMDAR2B陽性反應定位于細胞胞膜上，呈棕黃色。并可見隨著染毒劑量的加大，免疫陽性表達呈增多的現(xiàn)象。RT—PCR和Westernblot檢測海馬mGluR1、mGluR3、mGluR7、NMDAR1和NMDAR2B的基因和蛋白表達可知：與對照組相比，低劑量組mGluR1的基因和蛋白表達尚未達到統(tǒng)計學意義(P＞0.05)，中、高劑量組mGluR1的基因和蛋白表達均升高，差異有統(tǒng)計

6、學意義(P＜0.05)；與對照組相比，中，高劑量組mGluR3基因表達下降，差異有統(tǒng)計學意義(P＜0.05)蛋白表達各組未見統(tǒng)計學差異；與對照組相比，低劑量組mGluR7基因表達下降，差異有統(tǒng)計學意義(P＜0.05)；中，高劑量組mGluR7基因表達顯著下降，差異有統(tǒng)計學意義(P＜0.01)，中，高劑量組mGluR7蛋白表達下降，差異有統(tǒng)計學意義(P＜0.05)；與對照組相比，低劑量組中NMDAR1和NMDAR2B的基因和蛋白表達沒有明

7、顯變化(P＞0.05)；中劑量組NMDAR1的基因和蛋白表達均升高(P＜0.05)，NMDAR2B的蛋白表達升高(P＜0.05)；高劑量組NMDAR1的基因表達升高(P＜0.05)，NMDAR2B的基因表達顯著升高(P＜0.01)，NMDAR2B的蛋白表達升高(P＜0.05)，NMDAR1的蛋白表達顯著升高(P＜0.01)。 結論：鋁可導致小鼠學習記憶能力發(fā)生改變，并可使小鼠海馬腦區(qū)錐體層神經(jīng)細胞形態(tài)結構發(fā)生改變，且隨劑量的增加