基于0.5μmcmos工藝低壓多級(jí)放大器設(shè)計(jì)_第1頁(yè)
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1、西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文基于0.5μmCMOS工藝低壓多級(jí)放大器設(shè)計(jì)姓名：李剛申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：楊銀堂20080101AbstractAbstractTheadvancementinintegratedcircmt(IC)technologyhasresultedinscalingdownofdevicesizesandsupplyvoltageswithoutproportionallyscal

2、ingdownthethresholdvoltageoftheMOStransistorAssociatedwiththetransitiontolowvoltagecircuitdesignisademandforfrequencycompensationtechniquesthatarededicatedtothenewcontext：compensationstrategieswhichdecreasethepowerconsum

3、ption，butaboveallwhicharecapableofhandlingthespecificdemandsofthelowvoltageandlowpoweramplifiertopologiesTheoperationaltransconductanceamplifier(OTA)isabasicbuildingblockinmostanalogandmixed—signalelectronicsystemsInthis

4、paperwewilldesignahighgain、widebandwidthmultistageamplifierdrivinglargecapacitiveloadwhichserves舔erroramplifierinlow—voltageandlowpowerconditionBasedonthebasictheoryofoperationalamplifierthispaperfirstintroducesthegenera

5、lpartsoftheamplifierandmanykindsoffrequencycompensationtechnologyAndthisgivesnecessarybasictheoryforthisworkThenweexplainthewholedesignprocedure，introducingphasemarginasmaindesignparameterThreestageamplifierisimplemented

6、byastandard05一心[1lCMOSprocessandsimulatedwithHspiceWhendrivinga500pFcapacitiveload，theamplifierachieves110_dBdcgain，1MHzGBW60。phasemargin，and11V／usaverageslewrate，whileonlydissipatingO18roWpowerat15VsupplyAllthesimulatio

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