1、從下游需求結構看國內存儲芯片市場局勢從下游需求結構看國內存儲芯片市場局勢.doc從下游需求結構看國內存儲芯片市場局勢.doc從下游需求結構看國內存儲芯片市場局勢下游需求結構來看，手機、服務器、PC三大應用消耗了絕大部分存儲器芯片。主流存儲器市場以DRAM及NFlash為主，立基型存儲器則以EEPROM、小容量DRAM、NFlash、SLCN等特殊型存儲器市場。從存儲容量需求來看，據美光數據20182020年DRAM的比特容量需求復合增速

2、達到2025%，NFlash的比特容量需求復合增速增速達到4045%。云計算即將跨入AI時代，單臺AI服務器需要2.5TBDRAM，是傳統服務器配置容量的數十倍。隨著AI服務器應用的普及，服務器DRAM的容量需求將不斷提升。預計到2021年，包括硬件、軟件、系統服務在內的全球AI市場規(guī)模將達到576億美金。NFlash的增長主要受手機容量升級、SSD固態(tài)硬盤普及推動。手機閃存容量配置不斷升級，目前主流手機品牌旗艦機型搭載64GB作為入門

3、版設置，在視頻應用、游戲應用驅動下，主流容量有進一步向128GB攀升趨勢。SSD固態(tài)硬盤產品已經觸及價格甜蜜點，未來將快速替代機械場規(guī)模將達到576億美金。NFlash的增長主要受手機容量升級、SSD固態(tài)硬盤普及推動。手機閃存容量配置不斷升級，目前主流手機品牌旗艦機型搭載64GB作為入門版設置，在視頻應用、游戲應用驅動下，主流容量有進一步向128GB攀升趨勢。SSD固態(tài)硬盤產品已經觸及價格甜蜜點，未來將快速替代機械硬盤，20182020

4、年是固態(tài)硬盤普及的黃金時期，滲透率曲線有望進入最陡峭的階段。NFlash全面進入3D時代，技術路線的變化為存儲芯片國產化提供契機。目前三星、美光、intel的3DN生產比重已經突破80%，預計到2019年底3DN的出貨比重將超過90%。相比2D平面NFlash產品，3DN的單位比特成本更低，并且在不斷向更高層數的產品演進。2018年是3DN從64層向96層過渡的一年，目前市場主流出貨產品為64層3DN，三星及東芝的96層研發(fā)工作已經完成