1、經(jīng)顱磁刺激(Transcranial Magnetic Stimulation，TMS)是一種無創(chuàng)的神經(jīng)刺激技術(shù)，已應用于多種精神類疾病和神經(jīng)系統(tǒng)疾病的診斷與治療。研究表明，抑郁癥、自閉癥、精神分裂等精神障礙或疾病的發(fā)病機制與深部腦組織功能異常有關(guān)，但是目前的磁刺激技術(shù)和線圈僅適合對淺層皮質(zhì)的刺激，難以對深部組織形成有效的刺激。本文研究的深部經(jīng)顱磁刺激技術(shù)旨在增加刺激深度，同時盡量避免對淺層皮質(zhì)產(chǎn)生影響。
　　本文首先提出了一種基

2、于MRI數(shù)據(jù)建立真實頭部模型的方法，在此基礎(chǔ)上建立了平行頭部外輪廓的H型線圈模型。通過H型線圈的仿真研究，分析頭皮、大腦深部邊緣系統(tǒng)的電場分布，結(jié)果顯示H型線圈產(chǎn)生的電場在頭皮不聚焦，但在邊緣系統(tǒng)的前部，即前扣帶回區(qū)域聚焦。為評估H型線圈的刺激深度，定義頭皮-邊緣系統(tǒng)感應電場峰值之比作為評估參數(shù)。通過優(yōu)化H型線圈導線的間隔，提高其深部特性。優(yōu)化結(jié)果顯示前額葉前面導線數(shù)量為4，間隔為前面導線分布范圍的三分之一時;前額葉側(cè)面導線數(shù)量為7，間

3、隔為側(cè)面導線分布范圍六分之一時;前額葉上面導線間隔為5-6mm時，取得較好深部特性。
　　在此基礎(chǔ)上，本文還對8字線圈、H型線圈、雙錐線圈、Halo線圈，以及H-Halo組合線圈的深度特性進行了比較，其中Halo線圈和H-Halo組合線圈還比較了電流方向?qū)σ鸬碾妶龇植己痛碳ど疃忍匦缘挠绊?。結(jié)果發(fā)現(xiàn)Halo線圈（電流同向）、H型線圈、H-Halo組合線圈（電流同向）的深部特性較好。Halo線圈和H-Halo組合線圈電流同向時，同時

4、增強頭皮電場和邊緣系統(tǒng)電場強度，但邊緣系統(tǒng)電場強度增加較多;Halo線圈和H-Halo線圈電流反向時，同時減弱頭皮電場和邊緣系統(tǒng)電場強度，邊緣系統(tǒng)電場強度減弱較多，但是Halo線圈和H-Halo組合線圈的反向電流可以明顯減弱眼眶附近的電場強度，減弱了電場對眼部和面部組織影響。
　　最后，本文分別采用電感系數(shù)法和能量法計算了線圈的電感。對于規(guī)則線圈，直接通過解析函數(shù)進行線圈電感的計算;對于非規(guī)則線圈，由能量法計算出線圈產(chǎn)生的磁場能量