1、銅氧化物(CuO，Cu2O)被廣泛應用于鋰離子電池、光解水制氫、光催化及電化學儲能等領域，成為功能納米材料的研究熱點之一。本文以銅氧化物納米線陣列為基底，采用簡單的化學水浴法沉積鈷、鎳氧化物，研究超級電容器電極材料的電容性能，同時與活性炭負極組裝成非對稱電容器，研究其儲能特性。本文的主要研究結果如下:
　　(1)以恒電流陽極氧化和空氣煅燒的方法在銅箔表面直接生長銅氧化物納米線陣列?；撞牧显? mA cm-2的電流密度下，面積比電

2、容能達到96 mF cm-2。隨后通過化學水浴和Ar氣氛圍中煅燒在銅氧化物納米線表面沉積CoO納米片。其中在5 mmol L-1濃度下制得的CuO/Cu2O@CoO核殼納米線陣列的電容性能最優(yōu)，面積電容可達到280 mF cm-2。
　　(2)采樣化學水浴和Ar氣氣氛煅燒的方法，成功在基底材料上負載NiCo2O4，在20 mmol L-1時性能最優(yōu)，記為CuO/Cu2O@NiCo2O4-20。在0.5mAcm-2小電流密度下，材料

3、的比電容值能達到435 mF cm-2，在5 mA cm-2的電流密度下循環(huán)充放電10000圈后，面積比電容仍保留了最初比電容值的93.6％。
　　(3)將CuO/Cu2O@NiCo2O4-20在Ar氣氣氛煅燒前置于葡萄糖溶液浸泡，再進行煅燒從而在材料表面形成一層無定型碳。在葡萄糖濃度為15 g L-1時CuO/Cu2O@NiCo2O4-C材料電容性能提升效果最大。在0.5 mA cm-2的電流密度下，比電容值達到了655 mF