1、納米材料具有一些不同于體材料的物理特性和化學特性，使納米材料成為當今時代最有前途的材料。ZnO是II-VI族金屬氧化物，是一種寬禁帶直接帶隙半導體材料，帶隙為3.37eV，且相對于其他寬禁帶的半導體材料，ZnO具有高的激子結合能，室溫下為60meV。ZnO具有n型導電特性，因此ZnO經(jīng)常被應用在光電領域，ZnO微納米結構還具有優(yōu)異的陰極場發(fā)射性能和光催化性能。ZnO微納米結構的制備方法眾多，但有些方法對儀器設備的要求較高，且對ZnO微納

2、米結構生長的可控性不強。本文針對ZnO微納米結構可控性生長的問題，采用簡單的化學水浴法生長ZnO微納米結構。本文的具體內容如下：
　　(1)采用多容器法在水浴溫度不同的條件下研究 ZnO微納米結構生長過程中產(chǎn)物的形貌，及其退火對其形貌和結晶質量的影響。結果顯示，水浴溫度不同時，其產(chǎn)物的形貌不同；退火后，其產(chǎn)物結晶質量變好。
　　(2)使用不同的鋅源和堿源制備 ZnO微納米結構，結果顯示，當鋅源和堿源不同時，所制備 ZnO微納

3、米結構的形貌不同。采用水浴法制備了 ZnO-Cu2O微納米結構，并研究了 Cu2O的量對其光致發(fā)光譜的影響。采用水浴法制備了Zn1-xCuxO(x=0、0.05、0.1)、Zn1-xMgxO(x=0、0.05、0.1)、Zn1-xFexO(x=0、0.05、0.1)微納米結構，且研究了摻雜量對其光致發(fā)光譜和拉曼振動峰及其顆粒尺寸的影響。
　　(3)采用種子法和水浴法兩步生長 ZnO納米棒，種子由提拉法和滴沾法兩種方法制備。通過提拉