1、雖然目前國際上對于太赫茲這個嶄新的學術領域給予了極大的關注，但是由于對這個頻段電磁波的產(chǎn)生和探測都具有極大的困難，所以到目前為止，人們對于這個領域所做的工作依然十分有限。相對于太赫茲波而言，光波段電磁波的波長過短，而微波波段的電磁波的波長又過長，所以這兩種已經(jīng)十分成熟的技術無法直接應用于太赫茲的領域。但隨著超短激光脈技術的發(fā)展，太赫茲波技術在很多領域得到了大大的發(fā)展。
　　 過去幾年，Drude-Lorentz方法是一種被廣泛應

2、用于產(chǎn)生太赫茲波的理論計算方法。本論文在Drude-Lorentz理論的基礎上，應用半導體的邊界條件，對太赫茲波作用在半導體表面的太赫茲波輻射公式進行了推導，研究模擬了半導體表面輻射的太赫茲波的各種特性，結(jié)果表明，在半導體表同上改變一些激發(fā)的條件，可以在半導體表面產(chǎn)生更強的太赫茲波的輻射。又在半導體表面為平面的基礎上，研究了半導體表面為周期矩形時太赫茲的輻射情況，研究模擬發(fā)現(xiàn)，與半導體表面為平面的情況相比，可以得到成倍數(shù)增長的太赫茲波。