1、具有室溫鐵磁性的稀磁半導體因其豐富的物理性質及在自旋電子學領域的潛在應用引起了廣泛關注。過去的數(shù)十年間，大量關于d0型稀磁半導體材料的實驗及理論研究得以發(fā)表，其中大多數(shù)理論預測工作均采用廣義梯度近似進行。眾所周知，廣義梯度近似會嚴重低估半導體和絕緣體材料的帶隙，故由其結果來判斷材料的電子結構和磁性通常會產生錯誤的結果。而最近提出的修正的Becke-Johnson方法已被許多研究工作證明可以得到材料相對精確的帶隙值。因此本文采用全勢線性綴

2、加平面波的方法，以修正的Becke-Johnson勢能作為交換關聯(lián)函數(shù)，對碳原子摻雜硫化鎘塊材及表面結構和氮原子摻雜硫化鋅塊材的電子結構和磁性進行深入研究。
　　對于CS（碳原子替代硫原子）摻雜硫化鎘體系，計算結果表明含有CS缺陷的硫化鎘塊材及表面結構均為半金屬鐵磁體；單個CS缺陷導致硫化鎘半導體具有2.00μB的總磁矩；電子結構表明體系穩(wěn)定的鐵磁性可歸因于類似于p-d雜化的p-p耦合相互作用機制；而硫原子空位和CS缺陷（VS+C

3、S）共存時摻雜體系是非磁性金屬材料；對于CS摻雜硫化鎘的非極性（10-10）表面結構，碳原子趨于占據(jù)表層的位置且雜質原子之間依然存在鐵磁相互作用。
　　對于氮原子摻雜硫化鋅體系，計算結果揭示NS缺陷（氮原子替代硫原子）可使硫化鋅成為鐵磁性金屬材料，而反位NZn缺陷（氮原子替代鋅原子）導致其變?yōu)榉谴判越饘俨牧?；單個NS缺陷使得硫化鋅具有0.85μB的總磁矩；電子結構表明體系的鐵磁性主要源于類似于p-d雜化的p-p耦合相互作用；0.7