1、InGaAs/InAlAs半導體材料目前是制作高電子遷移率晶體管的首選材料之一,對于它的研究方興未艾,在深低溫、強磁場條件下的輸運性質(zhì)的研究可以為器件性能的提高提供重要的參考價值。本文在深低溫、強磁場的條件下通過樣品的磁輸運測試,對電子濃度、有效質(zhì)量、遷移率、自旋—軌道耦合系數(shù)以及有效g因子等反映材料性質(zhì)的重要參數(shù)進行了研究,得到以下結(jié)論。
　　1、研究了外部條件改變對電子遷移率的影響。在變溫磁輸運測試中,得到了電子的有效質(zhì)量。研

2、究了輸運遷移率和量子遷移率隨溫度的變化規(guī)律,在1.4 K到6.0 K的范圍內(nèi),隨著溫度升高,電子濃度和輸運遷移率變化很小,電子濃度稍有增加,輸運遷移率稍有減小,而量子遷移率降低比較明顯,且與溫度近似成線性關系。同時量子遷移率比輸運遷移率小得多,輸運遷移率大約是量子遷移率的7到8倍,所以在樣品的散射機制中,小角度散射占主導地位。同時驗證了在傾斜場中霍爾遷移率和量子遷移率不受樣品與磁場角度變化的影響。
　　2、研究了樣品的自旋分裂。在

3、變溫條件下,SdH振蕩在我們研究的溫度點(T=1.4K、1.7K、2.9K以及4.0K)出現(xiàn)了明顯的拍頻,拍頻節(jié)點位置不隨溫度變化,拍頻幅度隨溫度的升高逐漸減弱,到T=6.0K時基本上觀察不到拍頻現(xiàn)象,同時在相應的SdH振蕩的FFT圖上出現(xiàn)了明顯的雙峰結(jié)構(gòu),通過分析得到雙峰結(jié)構(gòu)來自于自旋分裂,驗證了零場自旋分裂能和Rashba系數(shù)不隨溫度變化。還研究了樣品的有效 g因子,通過分析拍頻節(jié)點所對應的磁場垂直分量隨磁場傾斜角的變化,發(fā)現(xiàn)了隨著