TiO2基稀磁半導體缺陷的正電子湮沒譜學研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、室溫稀磁半導體是自旋電子器件研究的關鍵途徑,但是其室溫鐵磁性的內稟屬性及其起源的研究有爭議,尤其對于缺陷的探測技術有限,因而相關研究多集中在理論分析層而,難以進行深入的實驗驗證。
　　 本論文以金紅石TiO2稀磁半導體為研究對象,基于慢正電子束流裝置以正電子湮沒譜學為主要表征方法,通過電子輻照和Co離子注入作為引入缺陷和摻雜離子的主要手段,建立正電子湮沒參數與不同類型缺陷的判斷依據,得到缺陷類型和缺陷濃度的深度分布以及缺陷周圍電

2、子動量分布的信息,建立上述缺陷結構與材料鐵磁性之間的相互關系。
　　 測試結果顯示,電子輻照能夠使TiO2晶體中產生新的缺陷,主要的缺陷類型是Ti空位(VTi)、O空位(Vo)和Ti-Vo復合體；Co離子注入普勒使TiO2晶體出現(xiàn)新缺陷,新缺陷為Ti-Co-Vo或Ti-Vo的復合體；結合振動樣品磁強計(VSM)測試結果,Co離子注入TiO2樣品的室溫鐵磁性強弱與Ti-Co-Vo或Ti-Vo的復合體的濃度有很大關系。
　　

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