1、P型a-Si：H薄膜不僅是非晶硅薄膜太陽電池的窗口層材料，更與N層形成內建電場產生光伏效應，因此從優(yōu)化摻雜、改善微結構兩方面優(yōu)化P層性能，就能為提高整個電池轉換效率作出貢獻。
　　 本文采用PECVD法、在相同工藝參數條件下制備了五組具有不同硼摻雜比的P型a-Si：H薄膜，并利用AFM、Raman光譜儀、Hall效應儀、UV分光光度計及SIMS等分析手段，研究了硼摻雜比對P型a-Si：H薄膜微觀形貌與結構、光/電學性能及摻雜效率

2、的影響規(guī)律及機理，選出了作為非晶硅太陽電池窗口層P型a-Si：H薄膜的最優(yōu)硼摻雜比。同時，對最優(yōu)摻雜比下的P型a-Si：H薄膜進行了真空退火處理，以進一步提高其綜合性能，并研究薄膜微結構的改變對光/電學性能的影響。
　　 研究結果表明：本實驗制得的P型a-Si：H薄膜粗糙度僅為1nm左右，厚度僅在30nm至60nm之間，符合對a-Si：H薄膜太陽電池窗口層的基本要求。隨著硼摻雜比的增加：P型a-Si：H薄膜的短程無序度增大、中程

3、有序度降低、非晶化程度加強；光透過率及光學帶隙值逐漸降低，其中硼摻雜比為0.5％和1.0％時，光學帶隙均大于1.8eV；電學性能整體呈上升趨勢，但在硼摻雜比為1.0％時發(fā)生突變，與硼摻雜比為2.5％的樣品相當，經SIMS檢測結果驗證二者硼摻雜濃度為一個數量級。結合光/電學性能分析結果可知，硼摻雜比為1.0％時可獲得綜合性能最為良好的非晶硅薄膜太陽能電池窗口層材料。
　　 經過加熱600℃保溫3h的真空退火處理后，P型a-Si：H