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1、本文采用射頻磁控濺射的方法制備了FeCuNbSiB薄膜，研究了FeCuNbSiB薄膜的晶化過(guò)程以及在晶化過(guò)程中導(dǎo)致的磁矩空間重取向的變化，對(duì)其多層膜巨磁阻抗效應(yīng)做了較為詳細(xì)的研究，主要結(jié)果如下：1．用X射線衍射譜(XRD)研究FeCuNbSiB薄膜的晶化過(guò)程，發(fā)現(xiàn)FeCuNbSiB薄膜樣品在400℃退火溫度下，開(kāi)始成核晶化，在510℃退火溫度下開(kāi)始出現(xiàn)bcc的(220)、(221)衍射峰。退火溫度在510～570℃之間，納米晶粒的平均尺
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