1、光刻技術(shù)是當(dāng)前半導(dǎo)體元器件加工業(yè)應(yīng)用最為廣泛的一項(xiàng)技術(shù)。隨著大規(guī)模集成電路和微結(jié)構(gòu)光子學(xué)元器件的迅速發(fā)展，對(duì)光刻技術(shù)的精度和分辨率要求越來(lái)越高，但是由于光學(xué)衍射極限的存在，傳統(tǒng)光刻技術(shù)的分辨率存在無(wú)法突破的極限。為了突破這一極限，許多新型的光刻技術(shù)涌現(xiàn)出來(lái)，例如遠(yuǎn)紫外激光光刻法、電子束刻蝕法等等。但是這類光刻技術(shù)成本過(guò)高，無(wú)法應(yīng)用到成規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)中。 表面等離子體激元具有近場(chǎng)局域增強(qiáng)和納米聚焦的突出特性，這為高分辨率的光刻技術(shù)

2、開辟了一條新的途徑?；诒砻娴入x子體激元的光刻技術(shù)已成為一個(gè)熱點(diǎn)研究方向。表面等離子體干涉光刻法利用波長(zhǎng)436納米的紫外光已經(jīng)將光刻的分辨率提高到了50納米。 根據(jù)這一光刻技術(shù)的原理，在金屬光柵的狹縫兩側(cè)加入對(duì)稱分布的溝槽結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步提高光刻分辨率。同時(shí)，還可通過(guò)對(duì)溝槽結(jié)構(gòu)幾何參數(shù)的改變，達(dá)到對(duì)光刻膠中光場(chǎng)進(jìn)行精細(xì)調(diào)節(jié)的目的。 本文利用時(shí)域有限差分方法對(duì)溝槽結(jié)構(gòu)光刻法的刻錄過(guò)程進(jìn)行了數(shù)值模擬，并分析了溝槽結(jié)構(gòu)的幾何參